CoolMOS™ 전력 트랜지스터

Infineon CoolMOS™ 전력 트랜지스터는 혁신적인 CoolMOS™ 기술이 적용된 고압 전력 MOSFET 용 제품으로써 SJ(초접합) 원리에 근거하여 생산되며 Infineon Technologies가 이 분야의 선구자입니다. CoolMOS™ C6 및 E6 시리즈는 SJ MOSFET 선두 공급업체로서의 경험과 동급 최강 기술혁신의 결정체입니다. 그 결과 이 소자는 고속 스위칭 SJ MOSFET의 이점을 모두 제공하면서 사용 편의성도 뛰어납니다.  스위칭 손실과 전도 손실이 극히 낮아 스위칭 애플리케이션의 효율성을 높이면서 간결한 디자인에 무게 및 발열은 감소했습니다.
상세 정보

Infineon Technologies가 확대한 CoolMOS™ 전력 트랜지스터 제품은 혁신적 CoolMOS™ 기술이 적용된 고압 전력 MOSFET 용 제품으로써 SJ(초접합) 원리에 근거하여 생산됩니다. 이 소자는 고속 스위칭  SJ MOSFET의 이점과 극도로 빠르고 튼튼한 바디 다이오드를 모두 제공합니다. Iineon Technologies CoolMOS® 전력 트랜지스터는 PC 실버박스, LCD TV, 조명, 서버, 통신 애플리케이션 용으로 생산되는 공진 스위칭 PWM 단계에 특히 적합합니다.
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결과: 23
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,421재고 상태
₩3,166.8
₩1,419.6
₩1,274.5
₩1,067
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 900 mOhms 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 600VCoolMOSCM8PowerTransistor 1,485재고 상태
컷 테이프
₩4,555.2
₩2,496
₩2,168.4
₩1,825.2
₩1,747.2
릴
₩1,653.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 180 mOhms 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 119 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,271재고 상태
컷 테이프
₩10,311.6
₩5,475.6
₩5,007.6
₩4,648.8
릴
₩4,383.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 99 mOhms 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 891재고 상태
컷 테이프
₩11,076
₩5,912.4
₩5,413.2
₩5,116.8
릴
₩4,773.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 1,250재고 상태
컷 테이프
₩7,410
₩3,822
₩3,463.2
₩2,979.6
릴
₩2,808
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263 N-Channel 1 Channel 650 V 22.4 A 351 mOhms 20 V 4 V 86 nC - 55 C + 150 C 195.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A DPAK-2 CoolMOS C7 1,318재고 상태
컷 테이프
₩4,586.4
₩2,605.2
₩2,184
₩1,887.6
₩1,825.2
릴
₩1,747.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 225 mOhms 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 3,752재고 상태
컷 테이프
₩4,836
₩2,402.4
₩2,168.4
₩1,747.2
₩1,716
릴
₩1,575.6
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 8,862재고 상태
컷 테이프
₩1,903.2
₩886.1
₩786.2
₩610
릴
₩497.6
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_LEGACY 395재고 상태
₩21,138
₩11,575.2
₩11,169.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 700 V 68.5 A 41 mOhms 20 V 4 V 300 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 1,029재고 상태
₩14,398.8
₩7,706.4
₩7,113.6
₩7,098
₩6,848.4
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 32 A 75 mOhms 20 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS 835재고 상태
₩5,787.6
₩3,182.4
₩2,886
₩2,340
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 8 A 168 mOhms 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 500V 18.5A TO220-3 1,460재고 상태
₩4,524
₩2,230.8
₩2,012.4
₩1,560
₩1,438.3
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 24.8 A 170 mOhms 20 V 2.5 V 47.2 nC - 55 C + 150 C 152 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 961재고 상태
컷 테이프
₩1,934.4
₩901.7
₩873.6
₩686.4
릴
₩499.2
최소: 1
배수: 1
: 2,500
Si SMD/SMT TO-252-3-11 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.9 Ohms 20 V 4 V 4.6 nC - 40 C + 150 C 22 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 967재고 상태
500예상 2026-12-31
₩2,620.8
₩1,243.3
₩1,109.2
₩870.5
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 490 mOhms 20 V 3 V 9 nC - 40 C + 150 C 21 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 1,520재고 상태
컷 테이프
₩3,962.4
₩1,934.4
₩1,731.6
₩1,375.9
릴
₩1,216.8
₩1,093.6
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET AUTOMOTIVE_COOLMOS 460재고 상태
컷 테이프
₩6,926.4
₩3,556.8
₩3,213.6
₩2,730
릴
₩2,574
최소: 1
배수: 1
: 1,000
Si SMD/SMT TO-263-7-11 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 439 mOhms 20 V 4 V 23 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement AEC-Q101 CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 2재고 상태
컷 테이프
₩6,364.8
₩3,634.8
₩2,901.6
₩2,402.4
₩2,308.8
릴
₩2,106
최소: 1
배수: 1
: 3,000
Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 14 A 200 mOhms 20 V 4.5 V 23 nC - 40 C + 150 C 81 W Enhancement Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 239재고 상태
240예상 2026-10-26
₩12,027.6
₩6,318
₩5,818.8
₩5,397.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
913주문 중
₩15,475.2
₩9,516
₩8,798.4
₩8,221.2
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
880주문 중
₩4,352.4
₩2,152.8
₩1,934.4
₩1,546
₩1,408.7
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
1,000예상 2026-12-10
₩3,806.4
₩1,934.4
₩1,669.2
₩1,340
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
286예상 2027-04-01
₩5,694
₩2,761.2
₩2,418
₩1,934.4
₩1,887.6
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW 비재고 리드 타임 17 주
릴
₩767.5
₩750.4
최소: 1
배수: 1
: 5,000
Si SMD/SMT ThinPAK-5 N-Channel 1 Channel 650 V 5.2 A 1 Ohms 20 V 4 V 6 nC - 55 C + 150 C 31.3 W Enhancement Reel, Cut Tape