게이트 드라이버와 EliteSiC MOSFET 페어링

EV 충전, 에너지 저장, UPS (무정전 전원 시스템) 및 태양광과 같은 에너지 인프라 애플리케이션은 시스템 전력 레벨을 수백 킬로와트 및 메가와트로 추진하고 있습니다. 이 고전력 애플리케이션은 인버터 및 BLDC를 위해 최대 6개의 스위치까지 하프 브리지, 풀 브리지 및 3-phase 토폴로지 듀티 사이클을 사용합니다. 전력 레벨 및 스위칭 속도에 따라 시스템 설계자는 애플리케이션 요구 사항에 가장 적합한 실리콘, IGBT 및 SiC를 포함한 다양한 스위치 기술을 찾고 있습니다.

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결과: 95
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onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITH ENABLE AND WITHOUT PINS 12&13 970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 40MOHM 1200V 947재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800


onsemi SiC MOSFET 20MW 1200V 865재고 상태
최소: 1
배수: 1

onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 5 kVRMS Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 1,240재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,296재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

onsemi 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 18,752재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IGBT gate driver 21,202재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 IGBT gate driver 7,996재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V 1,390재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 225


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 160MOHM 1200V 2,399재고 상태
최소: 1
배수: 1



onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER WITH FAST STO 1,738재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1,046재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 225

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 80MOHM 1200V 1,930재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 DUAL OUTPUT IGBT DRIVER WITHOUT PINS 12&13 951재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 3,245재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 160MOHM 1200V 1,830재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 1200V 160MOHM INDUSTRY PART 1,733재고 상태
최소: 1
배수: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589재고 상태
최소: 1
배수: 1



onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 5 kVrms Isolated Dual Channel 4.5/9 A Gate Driver 885재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi 게이트 드라이버 ISOLATED DRIVER IN 8-PIN WIDE BODY PACKAGE 990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi SiC MOSFET 60MOHM 900V 1,058재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 225


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 80MOHM 1200V 1,145재고 상태
최소: 1
배수: 1


onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 80MOHM 1200V 660재고 상태
최소: 1
배수: 1

onsemi 갈바닉 절연 게이트 드라이버 GALVANIC ISOLATED HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER 852재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000


onsemi 게이트 드라이버 HIGH CURRENT IGBT GATE DR 2,646재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500