GaN HEMTs

MACOM Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to deliver high efficiency and high gain. The modules also feature wide bandwidth capabilities, making them ideal for linear and compressed amplifier circuits. GaN offers superior properties compared to silicon or gallium Arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity. For design flexibility, MACOM GaN HEMTs are offered in a variety of package types, including DFN, 440193, 440196, 440166, 440206, and bare die.

결과: 33
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수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-15GHz, 25 Watt
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SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 2 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
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제품 코멘트
570재고 상태
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 750 mA 1.6 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-4.0GHz, 320 Watt
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SMD/SMT Die N-Channel 50 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 60 Watt
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제품 코멘트

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 120 V 6 A 250 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 70 Watt
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제품 코멘트

SMD/SMT Die N-Channel 1 Channel 100 V 6 A 200 mOhms - 3 V + 225 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-18GHz, 25 Watt
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제품 코멘트

SMD/SMT Die N-Channel 4 Channel 100 V 2 A 600 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 2.9-3.5GHz, 150 Watt
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17재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
데이터시트
577재고 상태
360예상 2026-09-18
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT 440109 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
데이터시트
2,307재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
데이터시트
602재고 상태
200예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
데이터시트
87재고 상태
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 100 Watt
데이터시트
46재고 상태
225예상 2026-10-16
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 150 V 8.7 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 4.5-6.0GHz, 10 Watt
데이터시트
41재고 상태
100예상 2026-08-24
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT 5.2-5.9GHz, 350 Watt
데이터시트
4재고 상태
10예상 2026-08-14
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT 1 Channel 125 V - 3 V - 40 C + 85 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-4.0GHz, 35 Watt
데이터시트
5재고 상태
782주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 4.5 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 120 Watt
데이터시트
4재고 상태
175주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
데이터시트
1,753주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 200

SMD/SMT QFN-6 N-Channel 120 V 750 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 180 Watt
데이터시트
21예상 2026-09-25
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 24 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-18GHz, 6 Watt
데이터시트
750예상 2026-09-15
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 250

SMD/SMT DFN-12 N-Channel 100 V 950 mA - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-6.0GHz, 30 Watt
데이터시트
688주문 중
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 100 V 4.2 A 2.3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT DC-2.5GHz, 90 Watt
데이터시트
리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440199 N-Channel 2 Channel 120 V 12 A - 3 V - 40 C + 150 C
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 100
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 120 V 1.5 A 1 Ohms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
데이터시트
제품 코멘트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 10
배수: 10

SMD/SMT Die N-Channel 2 Channel 120 V 3 A 500 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 120 Watt
데이터시트
제품 코멘트

SMD/SMT Die N-Channel 8 Channel 120 V 12 A 100 mOhms - 3 V
MACOM GaN FET GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 250 Watt
데이터시트
비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Screw Mount 440162 N-Channel 150 V 18 A - 3 V - 40 C + 130 C