650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터는 효율적인 에너지 애플리케이션에 대한 요구를 충족하는 첨단 기술이 특징입니다. Infineon Technologies 650V 트랜지스터는 정밀한 제어 및 고성능을 위한 최첨단 마이크로 패턴 트렌치 설계가 특징입니다. 이 설계를 통해 스트링 인버터, 에너지 저장 시스템(ESS), EV 충전, 산업용 UPS 및 용접과 같은 다양한 산업 전반에 걸쳐 손실이 크게 감소하고 효율성이 향상되며 전력 밀도가 향상됩니다.

결과: 28
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 381재고 상태
₩8,046.5
₩6,426
₩5,467.7
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 223재고 상태
₩12,626.4
₩7,356
₩6,200.5
₩5,735.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 429 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 1,898재고 상태
₩9,822.1
₩5,834.1
₩4,678.5
₩4,255.8
₩4,199.4
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 680재고 상태
₩16,966.8
₩10,146.2
₩8,878
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 377재고 상태
₩15,712.6
₩11,301.8
₩10,822.7
₩9,188
최소: 1
배수: 1
Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 253재고 상태
₩11,048.1
₩6,905.1
₩6,679.6
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package 128재고 상태
240예상 2027-09-09
₩13,725.6
₩8,483.4
₩7,144.6
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 266재고 상태
₩6,961.4
₩4,382.6
₩3,748.5
₩3,128.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 202재고 상태
₩8,187.5
₩4,918.1
₩4,086.7
₩3,607.6
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 150재고 상태
240예상 2027-10-07
₩8,088.8
₩5,256.3
₩4,551.7
₩4,354.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 341 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package 244재고 상태
₩14,486.6
₩9,385.3
₩7,680.1
₩7,243.3
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 284재고 상태
₩8,511.6
₩4,523.5
₩3,720.3
₩3,551.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 97재고 상태
₩9,216.2
₩5,326.8
₩4,453.1
₩4,044.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 797재고 상태
₩11,879.6
₩7,539.2
₩6,355.5
₩6,186.4
최소: 1
배수: 1
IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 1,680재고 상태
₩11,950
₩8,060.6
₩7,341.9
₩6,256.8
₩5,890.5
최소: 1
배수: 1
IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package 비재고 리드 타임 45 주
₩13,627
₩8,906.1
₩7,694.2
₩6,482.3
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package 13재고 상태
240예상 2026-12-31
₩11,935.9
₩7,074.2
₩5,975
₩5,524.1
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 203재고 상태
240예상 2026-12-17
₩10,498.5
₩6,285
₩5,270.4
₩4,946.3
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package 5재고 상태
₩13,514.2
₩7,933.8
₩6,707.8
₩5,679.1
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 6재고 상태
1,200예상 2026-12-31
₩17,516.4
₩11,330
₩10,230.8
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package 157재고 상태
₩12,809.6
₩8,060.6
₩7,962
₩6,707.8
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 6재고 상태
₩13,979.3
₩7,990.2
₩7,017.8
₩6,369.6
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 28재고 상태
960예상 2026-12-04
₩17,615
₩10,724
₩9,145.7
₩8,722.9
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 177재고 상태
₩10,738.1
₩6,186.4
₩5,185.9
₩4,861.7
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 75재고 상태
₩16,262.2
₩10,526.7
₩9,272.5
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube