650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터

Infineon Technologies 650V TRENCHSTOP™ IGBT7 H7 이산 트랜지스터는 효율적인 에너지 애플리케이션에 대한 요구를 충족하는 첨단 기술이 특징입니다. Infineon Technologies 650V 트랜지스터는 정밀한 제어 및 고성능을 위한 최첨단 마이크로 패턴 트렌치 설계가 특징입니다. 이 설계를 통해 스트링 인버터, 에너지 저장 시스템(ESS), EV 충전, 산업용 UPS 및 용접과 같은 다양한 산업 전반에 걸쳐 손실이 크게 감소하고 효율성이 향상되며 전력 밀도가 향상됩니다.

결과: 28
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package 318재고 상태
₩16,036.8
₩10,389.6
₩8,502
₩8,018.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 397재고 상태
₩8,907.6
₩7,051.2
₩6,052.8
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 258재고 상태
₩12,682.8
₩7,644
₩7,394.4
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 317재고 상태
₩9,422.4
₩5,007.6
₩4,118.4
₩3,931.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 210 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 350재고 상태
480예상 2026-10-15
₩13,150.8
₩8,346
₩7,035.6
₩6,848.4
최소: 1
배수: 1
IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 390재고 상태
480예상 2027-01-28
₩20,046
₩12,776.4
₩11,466
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 680재고 상태
₩18,782.4
₩11,232
₩9,828
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package 리드 타임 45 주
₩15,085.2
₩9,859.2
₩8,517.6
₩7,176
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 150 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-3 package 138재고 상태
₩15,194.4
₩9,391.2
₩7,909.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 621 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package 203재고 상태
240예상 2026-11-19
₩11,622
₩6,957.6
₩5,834.4
₩5,475.6
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 202재고 상태
₩9,531.6
₩5,444.4
₩4,524
₩4,040.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 249 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS 4pin package 157재고 상태
₩14,180.4
₩8,923.2
₩8,814
₩7,425.6
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO247-4 package 97재고 상태
₩10,202.4
₩5,896.8
₩4,929.6
₩4,477.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 250 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 81재고 상태
₩18,002.4
₩11,653.2
₩10,264.8
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 4pin package 149재고 상태
240예상 2026-10-09
₩18,174
₩13,509.6
₩11,980.8
₩10,296
최소: 1
배수: 1
Si IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 182재고 상태
₩11,887.2
₩6,848.4
₩5,740.8
₩5,382
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS 3pin package 27재고 상태
240예상 2026-11-05
₩13,213.2
₩8,065.2
₩6,318
₩5,943.6
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package 13재고 상태
240예상 2026-10-19
₩7,690.8
₩4,851.6
₩4,009.2
₩3,463.2
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 208 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 120 A IGBT with anti-parallel diode in TO247PLUS-4 package 5재고 상태
₩14,960.4
₩8,782.8
₩7,425.6
₩6,286.8
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 160 A 498 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package 5재고 상태
₩14,601.6
₩8,720.4
₩7,846.8
₩7,051.2
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 140 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package
2,640주문 중
₩21,387.6
₩13,509.6
₩11,575.2
₩10,452
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 3pin package
1,685예상 2026-10-15
₩10,670.4
₩6,099.6
₩5,085.6
₩4,648.8
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 4pin package
960예상 2026-10-22
₩12,838.8
₩9,204
₩8,127.6
₩6,926.4
₩6,520.8
최소: 1
배수: 1
IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247PLUS-3pin package 리드 타임 60 주
₩19,219.2
₩11,871.6
₩10,124.4
₩9,656.4
최소: 1
배수: 1
- 20 V, 20 V IGBT7 H7 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 100 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247-3 HCC package
240예상 2027-01-28
₩13,260
₩8,814
₩7,020
₩5,990.4
최소: 1
배수: 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 140 A 427 W - 40 C + 175 C IGBT7 H7 Tube