CoolMOS™ 7 초접합 MOSFET

Infineon Technologies의 CoolMOS™ 7 초접합 MOSFET은 에너지 효율성, 전력 밀도 및 사용 편의성에 대한 새로운 표준을 설정합니다. CoolMOS 7 기술은 혁신적인 패키지 개념과 다양한 기술로 특정 애플리케이션에 맞게 최적화되어 있습니다. CoolMOS 7 MOSFET은 고출력 성능을 발휘하므로 전기차 충전소를 소형화하여 충전 속도를 가속시키는 애플리케이션에 이상적입니다. CoolMOS 7 덕분에 새로운 세대의 어댑터와 충전기는 작고 가볍고 더 효율적이 됩니다. 엔지니어는 CoolMOS 7을 사용해 보다 저렴하고 효율적인 재생 에너지 시스템을 만들 수 있습니다.

결과: 188
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2,682재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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57,303재고 상태
14,500예상 2026-07-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 600 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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7,139재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2,164재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 650 V 13 A 168 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWERNEW
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886재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2,248재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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3,511재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 41 A 53 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 40 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
808재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 110 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,680재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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5,748재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 305 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 13 nC - 55 C + 150 C 41 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,183재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,578재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 66 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 40 C + 150 C 189 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
2,630재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 24 nC - 40 C + 150 C 77 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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773재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 15A VSON-4
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3,011재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 115 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 40 C + 150 C 102 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
467재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 58 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 64 nC - 55 C + 150 C 171 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,675재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 80 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 42 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
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4,860재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 30 V, 30 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 24.9 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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4,463재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 7 A 640 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 17 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
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2,671재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 12 A 173 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 23 nC - 40 C + 150 C 75 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 10A ThinPAK-4 CoolMOS C7
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6,349재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 650 V 10 A 230 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 40 C + 150 C 67 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 700V 75A TO247-4
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167재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 75 A 17 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 215 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
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8,670재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.5 A 1 Ohms - 20 V, 20 V 2.5 V 11 nC - 55 C + 150 C 37 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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3,361재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
데이터시트
1,580재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 11 A 450 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 24 nC - 55 C + 150 C 29 W Enhancement CoolMOS Tube