650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

결과: 29
선택 이미지 부품 번호
 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
데이터시트
380재고 상태
최소: 1
배수: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V
데이터시트
8재고 상태
1,350주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 163 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 643 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
데이터시트
444재고 상태
최소: 1
배수: 1

TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V
데이터시트
864재고 상태
최소: 1
배수: 1
TO-247-4 EliteSiC