650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

결과: 29
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,282재고 상태
컷 테이프
₩33,003.5
₩24,646.9
₩21,307.1
₩19,108.8
릴
₩19,108.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 23재고 상태
4,950예상 2027-06-25
₩17,558.6
₩11,358.2
₩9,004.8
₩8,807.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312재고 상태
컷 테이프
₩17,290.9
₩9,737.6
₩9,498
₩8,990.7
릴
₩8,990.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1,046재고 상태
₩26,972.1
₩19,080.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 449재고 상태
₩29,466.4
₩19,320.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 766재고 상태
₩15,346.2
₩8,779.3
₩8,159.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 425재고 상태
₩18,643.7
₩11,118.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497재고 상태
₩14,289.3
₩9,483.9
₩8,934.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589재고 상태
₩17,051.3
₩11,809.1
₩11,569.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 372재고 상태
₩15,416.6
₩10,005.3
₩9,483.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 453재고 상태
컷 테이프
₩54,564.2
₩41,219.1
₩41,190.9
₩39,020.7
릴
₩39,020.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 794재고 상태
컷 테이프
₩18,178.7
₩11,879.6
₩11,315.9
₩11,245.4
릴
₩11,245.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202재고 상태
₩40,542.7
₩28,465.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 418재고 상태
컷 테이프
₩27,239.8
₩17,107.7
₩16,191.7
릴
₩16,191.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 752재고 상태
컷 테이프
₩13,443.8
₩7,384.2
₩6,834.6
₩6,454.1
릴
₩6,454.1
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 504재고 상태
₩14,810.7
₩8,159.3
₩8,145.2
₩7,666
₩7,257.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 421재고 상태
₩13,993.4
₩7,722.4
₩6,806.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S 2,818재고 상태
₩14,303.4
₩7,905.6
₩7,003.7
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S 722재고 상태
컷 테이프
₩22,955.9
₩13,725.6
₩12,992.8
릴
₩12,992.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 800재고 상태
컷 테이프
₩20,320.7
₩11,724.5
₩11,090.4
릴
₩11,090.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S 400재고 상태
₩29,001.3
₩18,136.4
₩17,558.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 396재고 상태
₩21,560.8
₩12,161.4
₩11,978.2
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 250재고 상태
₩23,590
₩13,697.4
₩13,457.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,232재고 상태
컷 테이프
₩45,869.5
₩36,723.8
₩31,763.4
₩30,072.3
릴
₩28,099.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 380재고 상태
₩55,931.1
₩40,274.9
₩40,246.8
최소: 1
배수: 1
TO-247-4 EliteSiC