M2 EliteSiC MOSFET

Onsemi M2 EliteSiC MOSFET은 650V, 750V 및 1200V의 전압 옵션을 특징으로 합니다. onsemi M2 MOSFET은 D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD 및 TO-247-4LD 등 다양한 패키지로 제공됩니다. MOSFET은 설계 및 구현 유연성을 제공합니다. 또한 M2 EliteSiC MOSFET은 +22V/-8V의 최대 게이트-소스 전압, 낮은 RDS(on) 및 높은 SCWT(단락 내성 시간)을 자랑합니다.

결과: 46
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 625재고 상태
₩12,443.2
₩8,243.8
₩7,609.7
₩7,553.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 2,206재고 상태
₩38,569.8
₩28,578.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 484 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,282재고 상태
컷 테이프
₩33,003.5
₩24,646.9
₩21,307.1
₩19,108.8
릴
₩19,108.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589재고 상태
₩17,051.3
₩11,809.1
₩11,569.5
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 372재고 상태
₩15,416.6
₩10,005.3
₩9,483.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS PQFN88 650V 5,718재고 상태
컷 테이프
₩18,545.1
₩10,738.1
₩10,667.6
₩10,202.6
₩10,089.9
릴
₩10,089.9
최소: 1
배수: 1
: 3,000
SMD/SMT TDFN-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312재고 상태
컷 테이프
₩17,290.9
₩9,737.6
₩9,498
₩8,990.7
릴
₩8,990.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1,046재고 상태
₩26,972.1
₩19,080.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MOHM 900V 1,858재고 상태
컷 테이프
₩39,359
₩30,537.4
₩28,902.7
릴
₩28,902.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 425재고 상태
₩18,643.7
₩11,118.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497재고 상태
₩14,289.3
₩9,483.9
₩8,934.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 449재고 상태
₩29,466.4
₩19,320.1
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 766재고 상태
₩15,346.2
₩8,779.3
₩8,159.3
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 60MOHM 900V 1,017재고 상태
₩16,346.7
₩11,330
₩11,019.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET 60MOHM 1,003재고 상태
컷 테이프
₩27,268
₩17,135.9
₩16,219.9
릴
₩16,219.9
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 44 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 88 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 60MOHM 314재고 상태
₩16,952.7
₩11,823.2
₩11,583.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 900 V 46 A 84 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 87 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 418재고 상태
컷 테이프
₩27,239.8
₩17,107.7
₩16,191.7
릴
₩16,191.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 453재고 상태
컷 테이프
₩54,564.2
₩41,219.1
₩41,190.9
₩39,020.7
릴
₩39,020.7
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V 328재고 상태
₩52,690
₩37,357.9
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 900 V 118 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 196 nC - 55 C + 175 C 503 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET 20MOHM 900V 278재고 상태
컷 테이프
₩53,155
₩39,880.4
₩39,866.3
₩37,245.2
릴
₩37,245.2
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 900 V 112 A 28 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 200 nC - 55 C + 175 C 477 W Enhancement AEC-Q101 EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 68재고 상태
컷 테이프
₩41,106.4
₩31,171.5
₩30,664.2
₩27,845.8
릴
₩27,845.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 794재고 상태
컷 테이프
₩18,178.7
₩11,879.6
₩11,315.9
₩11,245.4
릴
₩11,245.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202재고 상태
₩40,542.7
₩28,465.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOSFET 900V TO247-4L 20MOHM 450재고 상태
₩53,422.8
₩38,006.1
최소: 1
배수: 1
TO-247-4 EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 423재고 상태
₩19,221.5
₩10,709.9
₩10,329.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 5 V, + 18 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 64 W Enhancement EliteSiC