SCT3x 3세대 SiC Trench MOSFET

ROHM Semiconductor®의 SCT3x 계열 SiC Trench MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조가 적용되어 온 상태 저항이 50% 감소했으며 평면 형태의 SiC MOSFET보다 입력 정전용량이 35% 감소했습니다. 그 결과 스위칭 손실은 크게 감소한 반면 스위칭 속도가 빨라져 작동 효율이 개선되었고 다양한 장비에서 전력 손실이 감소했습니다. 이 제품군에는 650V 및 1,200V 버전이 포함되어 다양한 분야에 사용할 수 있습니다.

결과: 31
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일
패키지/케이스
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS
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1,034재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
데이터시트
345재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
데이터시트
366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS
데이터시트
683재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
데이터시트
460재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
데이터시트
350재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 118 A 22.1 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 172 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
데이터시트
199재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 1.2 kV 95 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 178 nC - 55 C + 175 C 427 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
데이터시트
1,619재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 17A 103W SIC 160mOhm TO-247N
데이터시트
481재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC
데이터시트
703재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
데이터시트
428재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N
데이터시트
169재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 24 A 137 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
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366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247N-3 1 Channel 650 V 30 A 104 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC + 175 C 134 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
데이터시트
171재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 2.7 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
데이터시트
450재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 21 A 156 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 38 nC + 175 C 103 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC
데이터시트
61재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC
데이터시트
150재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 31 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 60 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
데이터시트
529재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 30 A 80 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 48 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3105KR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver
데이터시트
87재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 24 A 105 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 51 nC - 55 C + 175 C 134 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160m 3rd Gen TO-263-7LA
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990재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V, 17A, 7-pin SMD, Trench-structure, (SiC) MOSFET
데이터시트
753재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 1.2 kV 17 A 208 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 42 nC + 175 C 100 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC
데이터시트
189재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS
데이터시트
202재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 93 A 28.6 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 133 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS
데이터시트
84재고 상태
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 55A 40mOhm TrenchMOS
데이터시트
160재고 상태
450예상 2027-03-03
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 55 A 52 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement