이산 반도체의 유형

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onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 641재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 40MOHM 1200V M3 1,097재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,296재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800
SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-2L 406재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 20

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC SBD GEN1.5 650V 8A PQFM88 2,970재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SiC Schottky Diodes SMD/SMT PQFN-4
onsemi SiC MOSFET SIC MOS 20MOHM 900V 1,859재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 650V 6A SIC SBD GEN1.5 2,041재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 80
: 2,500

SiC Schottky Diodes SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3)

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 1200V SiC SBD 30A 511재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-3
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1,364재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT PSOF-8
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 650V 10A SIC GEN1.5 456재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202재고 상태
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4

onsemi SiC MOSFET SIC 1700V MOS 28MO IN TO247-4L 762재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 60

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi IGBT 1200V/75A FS7 IGBT TP247 623재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi MOSFET 모듈 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE 20재고 상태
최소: 1
배수: 1

MOSFET Modules SiC Press Fit PIM-29
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 70MOHM 1200V M3 1,075재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 800
: 800

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT D2PAK-7

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 14MOHM 1200V 471재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 10

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-4
onsemi SiC MOSFET SIC MOS PQFN88 650V 5,818재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SiC MOSFETS SiC SMD/SMT TDFN-4

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 269재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 383재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 리드 타임 18 주
최소: 1
배수: 1
최대: 30

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 22MOHM 1200V M3 110재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC MOSFETS SiC Through Hole TO-247-3
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 SIC TO263 SBD 20A 1 200V 1,130재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-3

onsemi IGBT FS4 T TO247 50A 650V 4L 678재고 상태
450예상 2026-08-04
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-4
onsemi SiC 쇼트키 다이오드 650V 6A SIC SBD GEN1.5 708재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

SiC Schottky Diodes SMD/SMT D2PAK-2

onsemi SiC 쇼트키 다이오드 1200V 10A SIC SBD 309재고 상태
최소: 1
배수: 1

SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247-2