SiC MOSFET – Mouser 대한민국

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CoolSiC™ MOSFET

Infineon CoolSiC™ MOSFET은 애플리케이션에서 가장 낮은 손실과 가장 높은 작동 신뢰성을 모두 제공하도록 최적화된 최첨단 트렌치 반도체 공정을 기반으로 제작되었습니다. TO- 및 SMD 하우징의 개별 CoolSiC 포트폴리오는 650 V, 1 200 V 및 1 700 V 전압 등급으로 제공되며 온 저항 정격은 27 mΩ ~ 1 000 mΩ 입니다. CoolSiC 트렌치 기술을 통해 각각의 제품 포트폴리오에서 애플리케이션 별 기능을 구현하는 데 사용되는 유연한 매개변수 세트를 구현할 수 있습니다. 이러한 기능에는 게이트 소스 전압, 애벌런치 사양, 단락 기능 또는 하드 정류 정격의 내부 보디 다이오드가 포함됩니다.

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결과: 30

적용된 필터:

장착 스타일

패키지/케이스

Vds - 드레인 소스 항복 전압

Id - 연속 드레인 전류

Rds On - 드레인 소스 저항

Vgs - 게이트 소스 전압

Vgs th - 게이트 소스 역치 전압

Qg - 게이트 전하

최고 작동온도

Pd - 전력 발산

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이미지	부품 번호	제조업체	설명	데이터시트	구매 가능 정보	가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.	수량	장착 스타일	패키지/케이스	채널 수	Vds - 드레인 소스 항복 전압	Id - 연속 드레인 전류	Rds On - 드레인 소스 저항	Vgs - 게이트 소스 전압	Vgs th - 게이트 소스 역치 전압	Qg - 게이트 전하	최저 작동온도	최고 작동온도	Pd - 전력 발산	채널 모드	상표명
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R090M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,512.8 839재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R090M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R090M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	839재고 상태	컷 테이프 ₩11,512.8 ₩7,363.2 ₩6,770.4 ₩6,661.2 릴 ₩6,177.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	26 A	125 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	23 nC	- 55 C	+ 175 C	136 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R045M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩20,716.8 617재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R045M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R045M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	617재고 상태	컷 테이프 ₩20,716.8 ₩12,854.4 ₩12,121.2 ₩11,528.4 릴 ₩11,278.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	47 A	45 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	46 nC	- 55 C	+ 175 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩10,888.8 368재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R140M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	368재고 상태	₩10,888.8 ₩7,722 ₩6,630 ₩6,240	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	13 nC	- 55 C	+ 150 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R060M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩14,851.2 303재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R060M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R060M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	303재고 상태	컷 테이프 ₩14,851.2 ₩8,845.2 ₩8,314.8 ₩7,971.6 릴 ₩7,862.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	36 A	83 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	34 nC	- 55 C	+ 175 C	181 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩10,374 240재고 상태 수명 종료	제조업체 부품 번호 IMZA65R107M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R107M1HXKS 수명 종료	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET	데이터시트	240재고 상태	₩10,374 ₩6,614.4 ₩6,271.2 ₩6,255.6 ₩5,834.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R030M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩24,991.2 2,509재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R030M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R030M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	2,509재고 상태	컷 테이프 ₩24,991.2 ₩14,882.4 릴 ₩14,071.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	56 A	41 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	63 nC	- 55 C	+ 175 C	300 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R450M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,793.6 6,935재고 상태 3,000예상 2027-07-29	제조업체 부품 번호 IMBF170R450M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R450M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	6,935재고 상태 3,000예상 2027-07-29	컷 테이프 ₩11,793.6 ₩6,411.6 ₩5,881.2 ₩5,569.2 릴 ₩4,976.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 최대: 1,000 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	9.8 A	450 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	11 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R140M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩11,715.6 3,844재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R140M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R140M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	3,844재고 상태	컷 테이프 ₩11,715.6 ₩6,286.8 ₩5,756.4 ₩5,740.8 릴 ₩5,210.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	18 A	189 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	13.4 nC	- 55 C	+ 175 C	107 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩23,337.6 1,751재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R027M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,751재고 상태	₩23,337.6 ₩14,523.6 ₩13,540.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩16,785.6 362재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R048M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R048M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	362재고 상태	₩16,785.6 ₩9,126 ₩8,439.6 ₩8,377.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩16,629.6 900재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R060M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R060M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	900재고 상태	₩16,629.6 ₩10,186.8 ₩9,422.4 ₩8,907.6	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	36 A	78 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	31 nC	- 55 C	+ 150 C	150 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩24,507.6 1,467재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R027M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R027M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	1,467재고 상태	₩24,507.6 ₩14,055.6 ₩13,946.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	59 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩16,224 313재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMZA65R048M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	313재고 상태	₩16,224 ₩9,344.4 ₩8,658 ₩8,626.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R220M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩10,186.8 2,502재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R220M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R220M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	2,502재고 상태	컷 테이프 ₩10,186.8 ₩5,397.6 ₩4,820.4 릴 ₩4,321.2 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	13 A	294 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	9.4 nC	- 55 C	+ 175 C	83 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBG120R350M1HXTMA1 Infineon Technologies 1: ₩8,985.6 1,430재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMBG120R350M1HXTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBG120R350M1HXT NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package	데이터시트	1,430재고 상태	컷 테이프 ₩8,985.6 ₩4,711.2 ₩4,290 ₩3,868.8 릴 ₩3,868.8 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 최대: 500 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	468 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.1 V	5.9 nC	- 55 C	+ 175 C	65 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩14,882.4 386재고 상태 720예상 2026-10-16 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R090M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	386재고 상태 720예상 2026-10-16	₩14,882.4 ₩8,018.4 ₩7,394.4 ₩6,692.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩10,155.6 3,907재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R220M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R220M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	3,907재고 상태	₩10,155.6 ₩5,787.6 ₩5,304 ₩5,007.6 ₩4,836	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	13 A	289 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩12,901.2 314재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R072M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R072M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	314재고 상태	₩12,901.2 ₩7,332 ₩6,754.8 ₩6,458.4	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	26 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R107M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,809.2 473재고 상태 NRND	제조업체 부품 번호 IMW65R107M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW65R107M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	473재고 상태	₩11,809.2 ₩6,193.2 ₩5,694 ₩5,257.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	20 A	142 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	15 nC	- 55 C	+ 150 C	75 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩15,069.6 480재고 상태 480예상 2026-10-01 NRND	제조업체 부품 번호 IMZ120R090M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMZ120R090M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	데이터시트	480재고 상태 480예상 2026-10-01	₩15,069.6 ₩8,533.2 ₩7,878 ₩7,222.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	26 A	117 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	21 nC	- 55 C	+ 150 C	115 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩8,330.4 19재고 상태 25,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBF170R1K0M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	19재고 상태 25,000주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMBF170R1K0M1XTMA1 재고: 19 즉시 배송 가능 주문 중: 2,000 예상 2027-01-07 23,000 미정 공장 리드 타임: 60 주	컷 테이프 ₩8,330.4 ₩4,414.8 ₩4,024.8 ₩3,494.4 릴 ₩3,260.4 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R650M1XTMA1 Infineon Technologies 1: ₩10,093.2 57재고 상태 2,000주문 중	제조업체 부품 번호 IMBF170R650M1XTMA1 Mouser 부품 번호 726-IMBF170R650M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets 에 대해 자세히 알아보기	데이터시트	57재고 상태 2,000주문 중	컷 테이프 ₩10,093.2 ₩5,335.2 ₩4,851.6 ₩4,414.8 릴 ₩3,915.6 MouseReel 사용가능	최소: 1 배수: 1 : 1,000	SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	7.4 A	650 mOhms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	8 nC	- 55 C	+ 175 C	88 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩27,206.4 480예상 2026-10-08 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R030M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	480예상 2026-10-08	₩27,206.4 ₩16,723.2 ₩15,100.8	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩11,466 73재고 상태 240주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R140M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	73재고 상태 240주문 중	₩11,466 ₩6,661.2 ₩6,115.2 ₩5,725.2	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: ₩9,188.4 53재고 상태 960주문 중 NRND	제조업체 부품 번호 IMW120R350M1HXKSA1 Mouser 부품 번호 726-IMW120R350M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	데이터시트	53재고 상태 960주문 중 주문 배송 날짜 제조업체 번호: IMW120R350M1HXKSA1 재고: 53 즉시 배송 가능 주문 중: 240 예상 2026-11-19 720 예상 2026-12-10 공장 리드 타임: 53 주	₩9,188.4 ₩4,882.8 ₩4,524 ₩4,134	최소: 1 배수: 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	4.7 A	455 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	5.3 nC	- 55 C	+ 150 C	60 W	Enhancement	CoolSiC