SiC(탄화 규소) 전력 소자

ROHM Semiconductor의 SiC 전력 소자는 규소만 사용한 전력 소자와 비교해서 절연 파괴 전계 강도 10배, 밴드 갭 3배, 열 전도성이 3배 높습니다. 덕분에 스위칭 손실과 온 상태 저항이 낮으며, 고온 작동을 지원합니다. 그 결과 전력 손실과 모듈 크기 모두 최소화했습니다. 설계 시 필요한 부품 수가 적어 설계 작업의 복잡도가 감소합니다.

이산 반도체의 유형

카테고리 보기 변경
결과: 60
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS 제품 유형 기술 장착 스타일 패키지/케이스
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 15A RDL SIC SKY 2,550재고 상태
₩18,432.3
₩10,428.1
₩9,653
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 1,035재고 상태
₩33,708.1
₩20,968.9
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ 325재고 상태
₩22,913.6
₩12,992.8
₩12,809.6
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N
199재고 상태
₩176,305
₩171,837.8
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 24A 134W SIC 105mOhm TO-247N
1,619재고 상태
₩28,127.6
₩21,758
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 5A RDL SIC SKY 1,133재고 상태
₩9,991.2
₩5,326.8
₩4,875.8
₩4,298.1
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N
351재고 상태
₩169,399.9
₩162,353.9
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 95A SiC TO-247N 495재고 상태
₩68,656.2
₩60,835.2
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET N-Ch 1200V SiC 72A 30mOhm TrenchMOS 683재고 상태
₩109,678
₩97,164.3
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 55A 262W SIC 40mOhm TO-247N
450재고 상태
₩69,656.8
₩60,356
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET RECT 1.2KV 40A RDL SIC SKY 717재고 상태
₩35,920.5
₩26,211.1
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
341재고 상태
₩92,373.1
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
366재고 상태
₩65,696.9
₩57,114.9
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 DIODE: 6A 600V 1,599재고 상태
컷 테이프
₩7,144.6
₩3,692.1
₩3,283.4
₩2,903
릴
₩2,705.7
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC Schottky Barrier Diode, 650V, 15A, 2nd Gen 6,315재고 상태
₩11,259.5
₩6,130
₩5,622.7
₩5,101.3
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 30A 134W SIC 80mOhm TO-247N
366재고 상태
₩27,465.3
₩19,432.9
₩19,249.7
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N
171재고 상태
₩36,470.1
₩26,507.1
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ 798재고 상태
₩16,417.2
₩9,244.4
₩9,089.3
₩8,582
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 AECQ 440재고 상태
₩23,167.2
₩17,544.5
₩15,008
₩14,218.8
₩13,810.2
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-247N-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 21A 103W SIC 120mOhm TO-247N
450재고 상태
₩12,358.7
₩8,596.1
₩8,342.5
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 SiC, SBD 650V 12A DPAK 472재고 상태
컷 테이프
₩10,470.4
₩5,608.6
₩5,143.6
₩4,847.6
릴
₩4,523.5
최소: 1
배수: 1
: 1,000
SiC Schottky Diodes SMD/SMT TO-263AB-3
ROHM Semiconductor SiC 쇼트키 다이오드 RECT 1.2KV 20A RDL SIC SKY 891재고 상태
₩22,265.4
₩12,851.9
₩12,344.6
최소: 1
배수: 1
SiC Schottky Diodes Through Hole TO-220ACG-2
ROHM Semiconductor SiC MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
428재고 상태
₩35,145.4
₩25,154.2
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET Nch 1200V 24A SiC TO-247N 169재고 상태
₩24,520.1
₩21,913.1
₩21,011.2
₩20,856.2
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-3
ROHM Semiconductor SiC MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61재고 상태
₩75,843.1
₩58,679.1
최소: 1
배수: 1
SiC MOSFETS Through Hole TO-247-4