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IXYS Trench 650V-1,200V XPT™ GenX4™ IGBTs

IXYS Trench 650V~1,200 V XPT™ GenX4™ IGBT는 독점 XPT 씬 웨이퍼 기술과 최첨단 4세대(GenX4™) 트렌치 IGBT 프로세스를 사용하여 개발되었습니다. 이 절연 게이트 양극성 트랜지스터는 열 저항 감소, 낮은 에너지 손실, 빠른 스위칭, 낮은 잔여 전류 및 높은 전류 밀도가 특징입니다. 이 장치는 스위칭 및 단락 상태에서 탁월한 견고성을 발휘합니다.

이 스루홀 IGBT는 최대 1,200V의 항복 전압까지 사각형 RBSOA(역방향 바이어스 안전 작동 영역)도 제공하므로 스너버리스 하드 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다. 이 초저 Vsat IGBT는 최대 5kHz 스위칭을 제공합니다. IXYS XPT 4세대 트렌치 IGBT는 포지티브 컬렉터-이미터 전압 온도 계수를 포함합니다. 따라서 설계자는 여러 장치를 병렬로 사용하여 고전류 요구 사항과 낮은 게이트 전하를 충족할 수 있으므로 게이트 드라이브 요구 사항과 스위칭 손실을 줄일 수 있습니다.

일반적으로 배터리 충전기, 램프 밸러스트, 모터 드라이브, 파워 인버터, PFC(역률 보정) 회로, SMPS(스위칭 모드 전원 장치), UPS(무정전 전원 공급 장치) 및 용접 기계에 사용됩니다.

특징

  • 독점 XPT 씬 웨이퍼 기술 및 최첨단 4세대(GenBee™) 트렌치 IGBT 프로세스를 사용하여 개발
  • 낮은 온 상태 전압 - VCE(sat)
  • 스위칭: 최대 5kHz
  • VCE (sat) 의 정온도 계수
  • 고속 스위칭에 맞게 최적화됨(최대 60kHz)
  • 단락 성능(10µs)
  • 스퀘어 RBSOA
  • 초고속 역 병렬 다이오드(Sonic-FRD™)
  • 하드 스위칭 성능
  • 높은 전력 밀도
  • 다이오드 순방향 전압 VF 의 온도 안정성
  • 낮은 게이트 드라이브 요구사항
  • 국제 표준 패키지

애플리케이션

  • 배터리 충전기
  • 램프 밸러스트
  • 모터 드라이브
  • 파워 인버터
  • PFC 회로
  • SMPS
  • UPS
  • 용접기

사양

  • 공통
    • 1,200 V VCES
    • 20A IC110
  • IXYA20N120A4HV
    • ≤1.9V VCE(sat)
    • 160ns tfi(일반)
  • IXYA20N120B4HV
    • ≤2.1V VCE(sat)
    • 90ns tfi(일반)
  • IXYA20N120C4HV
    • ≤2.5V VCE(sat)
    • 58ns tfi(일반)

비디오

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게시일: 2020-02-26 | 갱신일: 2024-05-23