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IXYS IXYx110N120A4 1,200 V XPT™ GenBee™ 트렌치 IGBT

IXYS IXYx110N120A4 1200V XPT™ GenX4™ 트렌치 IGBT는 초저 전도 손실 VCE(sat) 및 최대 5kHz의 스위칭 주파수에 최적화된 고이득 IGBT입니다. 얇은 웨이퍼 기술과 개선된 프로세스 덕분에 낮은 게이트 전하 QG를 구현할 수 있으므로 게이트 전류 요구 수준이 낮습니다. 높은 이득으로 서지 전류 성능을 향상시키고 VCE(sat) 의 양의 열 계수는 병렬 연결을 간소화합니다. Rth(j-c)의 낮은 열 저항은 열 관련 설계 문제를 용이하게 합니다.

IXYS IXYx110N120A4 1200V IGBT는 TO-264, PLUS247 및 SOT-227B(miniBLOC) 패키지로 제공됩니다. IXYx110N120A4는 돌입 전류 보호 회로, 램프 밸러스트, 태양광 인버터 등과 같은 애플리케이션에 이상적입니다.

특징

  • 낮은 전도 손실 VCE(sat) 에 최적화됨
  • 높은 이득 및 서지 전류 성능
  • 낮은 열 저항 Rth(j-c)
  • VCE(sat) 의 양의 열 계수
  • 국제 표준 패키지

애플리케이션

  • 태양광 인버터
  • UPS
  • 모터 드라이브
  • 용접기
  • 램프 밸러스트
  • 돌입 전류 보호 회로

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게시일: 2020-12-31 | 갱신일: 2024-05-30