Infineon Technologies TRENCHSTOP™ 5 IGBT
Infineon의 TRENCHSTOP™5 IGBT는 차세대 박막 웨이퍼 IGBT(절연 게이트 양극성 트랜지스터)로써, 현재 시장을 주도하는 솔루션에 비해 전도 손실 및 스위칭 손실이 현저하게 낮습니다. 이 제품들은 스위칭 주파수 10kHz 이상인 애플리케이션 용으로 설계되었습니다. 웨이퍼 두께는 25% 이상 감소하여 스위칭 손실 및 전도 손실 모두 크게 감소했지만 브레이크스루 전압 650V를 제공합니다. 이렇듯 효율이 비약적으로 개선되어 설계자들은 새로운 설계를 위한 기회를 갖게 되었습니다.
특징
- 브레이크스루 전압: 650V
- HighSpeed 3 제품군 대비:
- 2.5 계수만큼 Qg 감소
- 스위칭 손실에서 2 계수만큼 감소
- VCE(sat)에서 200mV 감소
- Infineon Technologies의 새로운 'Rapid' Si-diode 기술과 함께 패키지
- 낮은 Coss/Eoss
- 중간 수준의 정온도 계수 VCE(sat)
- 신뢰도를 낮추지 않아도 버스 전압에서 50V 증가 가능
- 온도 안정성 VF
- 동급 최고 수준의 효율성: 낮은 접합 온도 및 케이스 온도, 장치에 대한 높은 신뢰도 제공
- 전력 밀도 높아진 설계
애플리케이션
- 다음 분야에서 PFC + PWM 토폴로지 가능:
- 용접
- UPS
- 태양광
비디오
추가 자료
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게시일: 2012-12-07
| 갱신일: 2025-10-01