TRENCHSTOP™ 5 F5 이산 IGBT

Infineon TRENCHSTOP™ 5 F5 이산 IGBT는 최적의 효율을 제공하기 위해 60kHz를 초과하는 스위칭에 맞게 최적화되었으며 MOSFET와 IGBT 사이의 간극을 메웁니다. F5 시리즈는 현재 주요 솔루션에 비해 스위칭 손실이 현저히 낮습니다. 대상 토폴로지는 무정전 전원 공급 장치, UPS, 인버터 용접기 및 SMPS(스위치 모드 전원 공급 장치)와 같은 애플리케이션에서 흔히 볼 수 있는 부스트 단계, PFC(AC-DC) 단계 및 고전압 DC-DC 토폴로지입니다. 650V TRENCHSTOP™ 5 F5 IGBT는 650V TRENCHSTOP™ 5 H5 제품군에 비해 1% 더 높은 효율을 제공하는 SiC 다이오드와 결합되어 낮은 인덕턴스 설계를 목표로 합니다. F5는 더 많은 설계 노력이 필요하지만 이에 따른 보상도 높습니다.

결과: 21
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 1,691재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 761재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 150 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT 5재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 980재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETES 175재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 23재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETES 2재고 상태
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Si Through Hole Single 650 V 1.66 V - 20 V, 20 V 80 A 270 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT 224재고 상태
최소: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT 130재고 상태
최소: 1
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Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT ENGINEERING SAMPLES TRENCHSTOP-5 IGBT 302재고 상태
최소: 1
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Si TO-220-3 FP Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 498재고 상태
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Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 14 A 33.3 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 344재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 55 A 188 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C Trenchstop 5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT DISCRETES 비재고 리드 타임 10 주
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배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 250 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETES 리드 타임 10 주
최소: 1
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Si - 20 V, 20 V TRENCHSTOP 5 F5 Tube
Infineon Technologies IGBT DISCRETE SWITCHES 비재고 리드 타임 10 주
최소: 1,000
배수: 1,000
: 1,000

Si D2PAK-3 (TO-263-3) SMD/SMT Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 30 A 105 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 F5 Reel
Infineon Technologies IGBT IGBT PRODUCTS 비재고 리드 타임 19 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 10.8 A 31.2 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 비재고 리드 타임 26 주
최소: 240
배수: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 74 A 255 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube

Infineon Technologies IGBT INDUSTRY 비재고 리드 타임 26 주
최소: 240
배수: 240

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 80 A 305 W - 40 C + 175 C TRENCHSTOP 5 F5 Tube