Infineon Technologies 1,200V CoolSiC™ M1H 모듈

Infineon Technologies1 200 VCoolSiC™M1H 모듈은 EV 충전 및 기타 인버터 설계자에게 전례 없는 효율과 전력 밀도 수준을 달성할 수 있는 기회를 제공합니다.

SiC(탄화 규소)반도체를 스위치로 사용할 때 높은 신뢰성을 유지하면서 더 높은 작동 온도와 스위칭 주파수를 허용하여 전체 시스템 효율이 개선됩니다. 인피니언의1 200 VSiC MOSFET 모듈 제품군은 최첨단 트렌치 설계를 통해 뛰어난 게이트 산화물 신뢰성을 제공합니다.

이 파워 모듈은 산업 표준 EASY 패키지에 담겨 있으며, 다양한 애플리케이션 요구에 맞게 커스터마이징이 가능합니다. 넓은 범위의 RDS (on) 값과 3레벨, 하프브릿지, 식스팩 등 다채로운 회로 구성으로 제공됩니다. 모든 이지팩(™) 및 이지듀얼(™) 모스펫 전원 모듈은 열 인터페이스 재료 (TIM) 가 사전 적용된 상태로 주문할 수 있으며, 추가 기능도 제공됩니다. 특히 고성능 질화알루미늄(AlN) 세라믹을 사용한 Easy 모듈은 RthJH의 열 성능을 향상시킵니다.

와이드 밴드갭 실리콘 카바이드(SiC) 반도체의 장점은 실리콘(Si)에 비해 더 높은 돌파 전기장, 더 큰 열 전도성, 더 높은 전자 포화 속도, 더 낮은 고유 캐리어 농도에서 비롯됩니다. 이러한 SIC 재료의 이점을 기반으로 하는 SIC MOSFET은 오프/온보드 전기차(EV) 충전기용 태양광 인버터와 같은 고전력 애플리케이션을 위한 스위칭 트랜지스터를 결합합니다.

장점

- 더 높은 주파수 작동
- 전력 밀도 증가
- 냉각 노력 감소를 위한 최고 효율성
- 시스템 및 운영 비용 절감
- 확장된 작동 조건 및 향상된 전력 사이클링 성능

특징

Si에 비해 약 80% 낮은 스위칭 손실
우수한 게이트 산화물 신뢰성
역회복 전하가 낮은 본질체 다이오드

4V 이상 Vth 의 높은 임계 전압
향상된 방열 기능

애플리케이션

고속 EV 충전
태양광 에너지 시스템
파워 인버터

에너지 저장 시스템
산업용 애플리케이션
UPS

인포그래픽 - Infineon Technologies 1,200V CoolSiC™ M1H 모듈

제공 가능 제품

FF4MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1200V, Rds On = 4mΩ
- IDN =200A/IDRM =400A
- 낮은 스위칭 손실
- 낮은 유도성 설계
- 높은 전류 밀도
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능
- PressFIT 접점 기술
- 통합 NTC 온도 센서
FF4MR12W2M1H_B70
- 듀얼 구성
- 쉬운 2B 하우징
- VDSS = 1200V, Rds On = 4mΩ
- IDN =200A/IDRM =400A
- 낮은 유도성 설계
- 낮은 스위칭 손실
- 높은 전류 밀도
- 향상된 세라믹 기판
- 통합 NTC 온도 센서
- PressFIT 접점 기술
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능

FF6MR12W2M1H_B11
- VDSS = 1200V
- IDN =150A/IDRM =300A
- 낮은 스위칭 손실
- 낮은 유도성 설계
- 높은 전류 밀도
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능
- PressFIT 접점 기술
- 통합 NTC 온도 센서
FF6MR12W2M1H_B70
- 듀얼 구성
- 쉬운 2B 하우징
- VDSS = 1200V, Rds On = 5.63mΩ
- IDN =200A/IDRM =400A
- 낮은 유도성 설계
- 낮은 스위칭 손실
- 높은 전류 밀도
- 향상된 세라믹 기판
- 통합 NTC 온도 센서
- PressFIT 접점 기술
- 통합 장착 클램프 덕분에 견고한 장착 가능