TRENCHSTOP™ IGBT7 디스크리트 및 모듈

Infineon Technologies TRENCHSTOP™ IGBT7 디스크리트 및 모듈은 가변 속도 드라이브를 위해 설계되었습니다. 모든 산업용 드라이브의 절반이라도 전기 속도 제어가 가능하다면 20%의 에너지 혹은 1700만 톤의 CO2 를 절약할 수 있습니다. Infineon은 TRENCHSTOP IGBT7 기술로 이 스위치를 용이하게 합니다.

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Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
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1,112재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
601재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
데이터시트
154재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
데이터시트
72재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 100 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
1,573재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 120 A IGBT7 S7 in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
305재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
데이터시트
69재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 1200 V, 75 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO247PLUS-3pin package
데이터시트
176재고 상태
240예상 2027-03-25
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 900 A dual IGBT module
데이터시트
10재고 상태
12예상 2026-11-17
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 50 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
1,718재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A PIM IGBT module
데이터시트
16재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount AG-EASY1B-2
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A PIM IGBT module
데이터시트
12재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module
데이터시트
11재고 상태
15예상 2026-07-03
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si Through Hole
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 100 A sixpack IGBT module
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 25 A sixpack IGBT module
데이터시트
2재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
데이터시트
26재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 35 A sixpack IGBT module
데이터시트
19재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A sixpack IGBT module
데이터시트
31재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 75 A sixpack IGBT module
데이터시트
15재고 상태
최소: 1
배수: 1

IGBT Modules Si Screw Mount
Infineon Technologies IGBT 모듈 1200 V, 50 A PIM IGBT module
데이터시트
18재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 8 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
225재고 상태
720예상 2026-07-16
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3


Infineon Technologies IGBT 1200 V, 15 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
479재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3

Infineon Technologies IGBT 1200 V, 40 A IGBT7 S7 with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
191재고 상태
960주문 중
최소: 1
배수: 1
IGBT Transistors Si Through Hole TO-247-3
Infineon Technologies F3L400R10W3S7B11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V, 400 A 3-level IGBT module
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si
Infineon Technologies F3L400R10W3S7FB11BPSA1
Infineon Technologies IGBT 모듈 950 V, 400 A 3-level IGBT module
데이터시트
1재고 상태
최소: 1
배수: 1
IGBT Modules Si