Infineon Technologies 3kW 50V 서버 및 데이터 센터 PSU 기준 설계 장치
Infineon Technologies 3kW 50V 서버 및 데이터 센터 PSU(전원 공급 장치) 기준 설계 장치(EVAL_3KW_50V_PSU)는 개방형 컴퓨팅 V3 정류기 사양을 대상으로 하는 완벽한 전원 공급 장치입니다. PSU는 프런트엔드 AC-DC 무브리지 토템 폴 변환기와 백엔드 DC-DC 절연 하프 브리지 LLC 변환기로 구성됩니다. 프런트 엔드 토템 폴 변환기는 PFC(역률 보정) 및 THD(총 고조파 왜곡)를 제공합니다. LLC 변환기는 안전 절연 및 엄격하게 조절된 출력 전압을 제공합니다.
230VAC에서 전체 Infineon Technologies 3kW 50V 서버 및 데이터 센터 PSU 기준 설계 장치의 측정된 최대 효율은 내부 팬을 포함하지 않은 상태에서 97.5%, 내부 팬을 포함하여 97.4%입니다. Infineon Technologies 3kW 50V 서버 및 데이터 센터 PSU의 전체 외부 치수는 73.5mm x 520mm x 40mm로 32W/inch³(1.95W/cm³) 범위의 전력 밀도를 제공합니다.
특징
- 주요 구성 요소
- IMZA65R048M1H 650V 48mΩ CoolSiC™
- IPW60R017C7 600V 17mΩ CoolMOS™
- IPW60R024CFD7 600V 24mΩ CoolMOS
- CoolMOS, CoolSiC, CoolGaN™용 1EDB8275F, 1EDB9275, 2EDF7275F EiceDRIVER™
- ICE2QR2280G 플라이백 컨트롤러
- XMC4200-F64k256AB 마이크로컨트롤러
- IFX91041 강압 전압 조정기
- OCV3 정류기 사양을 겨냥한 완벽한 전원 공급 기준 설계 장치
- 매우 높은 피크 효율
- 무브리지 토템 폴 PFC(CoolSiC™ 포함)
- CoolMOS™ 및 OptiMOS™의 하프 브리지 LLC
- XMC™ 마이크로컨트롤러로 완벽한 디지털 제어
- 73.5mm x 520.0mm x 40.0mm의 콤팩트한 솔루션
온 더 보드
Infineon Technologies 650V CoolSiC™ M1 트렌치 전력 MOSFET
탄화 규소 MOSFET은 안정적이고 비용 효율적인 성능을 제공하며 TO247 3–핀 패키지로 제공됩니다.
Infineon Technologies CoolMOS™ C7 Power MOSFETs
Low RDS(on)/package with low switching losses, efficiency improvements over the full load range.
Infineon Technologies XMC™4000 Series 32-Bit ARM® Cortex®-M4 MCUs
Combines a leading-edge peripheral set with an industry-standard ARM® Cortex®-M4 core.
Infineon Technologies 유사 공진 CoolSET™ 전력 IC
캐스코드 구성에서 오프라인 스위치 전원 공급 장치를 위해 최적화됨.
Infineon Technologies 2EDi EiceDriver 게이트 드라이버 IC
고성능 하프 브리지를 위한 2채널, 기능 및 강화 MOSFET 절연 게이트 드라이버
Infineon Technologies EiceDRIVER 절연 및 비절연 게이트 드라이버 IC
MOSFET, IGBT 및 IGBT 모듈을 위한 최적화된 저전압 및 고전압 게이트 드라이버 솔루션을 제공합니다.
Infineon Technologies 1채널 EiceDRIVER™ MOSFET 게이트 드라이버 IC
제어 IC와 강력한 MOSFET 및 GaN 스위칭 장치를 연결하는 데 매우 중요합니다.
Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ MOSFET
공진 고전력 토폴로지에 이상적이고 최신 초접합 MOSFET 기술이 특징입니다.
개통도
