CFD7 CoolMOS™ MOSFET

Infineon Technologies CFD7 CoolMOS™ CFD7 MOSFET는 공진 고전력 토폴로지에 이상적이고 전압 초접합 MOSFET 기술을 사용합니다. 이 MOSFET은 고속 바디 다이오드가 있는 장치로서, CoolMOS 7 시리즈를 완성해줍니다. 일반적인 고전력 SMPS 애플리케이션으로는 서버, 텔레콤 및 EV 충전소가 포함됩니다.

결과: 71
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
748재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 34 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 219 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
3,968재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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3,806재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 144 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 76 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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552재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
2,061재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 79 nC - 55 C + 150 C 178 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,332재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 105 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 36 nC - 55 C + 150 C 140 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
2,990재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 16 A 160 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 31 nC - 40 C + 150 C 95 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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759재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
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1,235재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,700

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 28 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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2,522재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 600 V 44 A 55 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 67 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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3,226재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 57 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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772재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 51 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
3,361재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 14 A 153 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 28 nC - 40 C + 150 C 85 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,924재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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373재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 77 A 24 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 183 nC - 55 C + 150 C 320 W Enhancement Tube
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831재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 31 A 70 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 67 nC - 55 C + 150 C 156 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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1,880재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,990재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 33 A 75 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 51 nC - 55 C + 150 C 188 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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752재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si SMD/SMT HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V, 30 V 4.5 V 141 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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731재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 750

Si - 20 V, 20 V CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
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309재고 상태
1,500예상 2026-07-02
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 180 mOhms - 20 V, 20 V 4.7 V 17 nC - 55 C + 150 C 142 W Enhancement CoolMOS Tube
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데이터시트
1,564재고 상태
2,000예상 2026-07-09
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,000

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
2,194재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 1,700

Si SMD/SMT HDSOP-10 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 90 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 42 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
데이터시트
215재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 101 A 18 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 251 nC - 55 C + 150 C 416 W Enhancement Tube