Infineon Technologies EVAL1ED3142MC12HSIC 게이트 드라이버 평가 보드
Infineon Technologies EVAL1ED3142MC12HSIC 게이트 드라이버 평가보드는 하프 브리지 구성에서 1ED3142MC12H 절연 게이트 드라이버 IC를 평가하도록 설계되었습니다. 이 보드에는 IMZA120R020M1H 2 개, 1ED3142MC12H CoolSiC™ 1 200 V SiC 트렌치 MOSFET 2 개 및 EiceDRIVER™ power 2EP130R 변압기 드라이버 IC로 생성된 갈바닉 절연 온보드 전원 공급 장치가 포함되어 있습니다. 사용자는 게이트 드라이버 IC를 교체하여이 보드를 사용하여 Infineon Technologies 1ED314xMC12H 제품군의 다른 IC를 평가할 수 있습니다.
특징
- 1ED3142MC12H 절연 게이트 드라이버 IC
- IMZA120R020M1H 1200V SiC MOSFET
- 2EP130R 변압기 드라이버 IC
- 히스테리시스로 12.5V/13.6V UVLO 보호
- 별도의 출력
- 간편한 측정 및 구성
- 온보드 전력 공급
- 하프 브리지 구성
- 조립되지 않은 스위치
애플리케이션
- 배터리 에너지 저장 시스템(BESS)
- EV 충전
- DIN 레일 전력 공급 솔루션
- 산업용 모터 드라이브 및 제어 장치
- 범용 모터 드라이브
- 태양광
- 모터 제어
블록 선도
관련 제품
Infineon Technologies EiceDRIVER™ X3 콤팩트 IC
IGBT, MOSFET 및 SiC MOSFET용 갈바닉 절연 단일 채널 게이트 드라이버 IC입니다.
Infineon Technologies CoolSiC™ 1200V SIC 트렌치 MOSFET
애플리케이션에서는 최저 손실을, 작동 시에는 최고 신뢰도를 제공하도록 최적화되었습니다.
Infineon Technologies EiceDRIVER™변압기 드라이버 IC
콤팩트한TSSOP8핀 패키지의 풀 브리지 변압기 드라이버 집적 회로.
개발 도구
Infineon Technologies EVAL-DCLINK-DPT 평가 보드
IGBT 및 SiC MOSFET과 같은 전력 반도체 디바이스의 이중 펄스 테스트 (DPT) 를 지원합니다.
게시일: 2026-01-16
| 갱신일: 2026-02-02