Infineon Technologies CoolSiC™ 쇼트키 다이오드
Infineon의 CoolSiC™ 쇼트키 다이오드는 상대적으로 높은 온 상태 저항과 누설 전류를 제공합니다. SiC 재료에서, 쇼트키 다이오드는 훨씬 더 높은 항복 전압에 도달할 수 있습니다. Infineon SiC 쇼트키 제품 포트폴리오는 600V 및 650~1,200V 쇼트키 다이오드를 포괄합니다. CoolSiC™ 쇼트키 다이오드와 고속 실리콘 기반 스위치의 조합은 종종 "하이브리드" 솔루션이라고 부릅니다. 최근에 Infineon은 수백만 개의 하이브리드 모듈을 제조했으며 태양광 및 UPS와 같은 응용분야에서 다양한 고객 제품에 설치되는 것을 목격했습니다.
특징
- 역방향 회복 충전 없음
- 순수 정전식 스위칭
- 높은 작동 온도(Tj, 최고 175°C)
- 낮은 턴오프 손실
- CoolMOS™ 또는 IGBT 턴온 손실 감소
- Si 다이오드에 비해 시스템 효율 향상
- 부하 전류, 스위칭 속도 및 온도와는 독립적인 스위칭 손실
- 냉각 요구 사항 감소
- 고주파/증가된 전력 밀도 활성화
- 작동 온도가 낮아 시스템 신뢰성 향상
- EMI 감소
애플리케이션
- 서버
- 텔레콤
- 태양광
- UPS
- 에너지 저장, 충전기
- PC 전원
- 모터 드라이브
- 조명
추가 자료
- EiceDRIVER™ 게이트 드라이버 IC 제품 선택 가이드
- 전력의 중심에 있는 제품: CoolMOS™ - CoolSiC™ - CoolGaN™ 제품 선택 가이드
- 탄화규소 CoolSiC™ 다이오드 - 650V G6, 650V G5, 650V G3, 1200V G5 제품 선택 가이드
- 주거용 태양광 시스템 애플리케이션 브로슈어
- CoolSiC™ 쇼트키 다이오드 600V 650V 1200V G5 신뢰도 고려 사항 백서
- CoolSiC™ 쇼트키 다이오드 600V 650V 1200V G5 SMPS 회로 설계 백서
- 2020 전원 및 감지 선택 가이드
비디오
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게시일: 2019-06-10
| 갱신일: 2024-01-10