Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes

Infineon Generation 5 CoolSiC™ 650V Schottky Diodes deliver market-leading efficiency at an attractive cost point. Infineon’s proprietary diffusion soldering process, already introduced with Generation 3, is now combined with a new, more compact design as well as the latest advancements in thin wafer technology, bringing improved thermal characteristics and lower Figures of Merit (Qc x Vf).

결과: 9
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 구성 If - 순방향 전류 Vrrm - 반복 역 전압 Vf - 순방향 전압 If - 순방향 서지 전류 Ir - 역 전류 최저 작동온도 최고 작동온도 Vr - 역 전압 시리즈 포장
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 1,223재고 상태
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 6 A 650 V 1.5 V 54 A 300 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH06G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 1,459재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 16 A 650 V 1.5 V 124 A 850 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH16G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 700재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW40G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 1,497재고 상태
5,000주문 중
최소: 1
배수: 1
최대: 500

Through Hole TO-220-2 Single 4 A 650 V 1.5 V 38 A 200 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH04G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 514재고 상태
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 8 A 650 V 1.5 V 68 A 400 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH08G65 Tube
Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 13재고 상태
1,000주문 중
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 82 A 500 nA - 55 C + 175 C 650 V XDH10G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 230재고 상태
480예상 2026-09-28
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 20 A 650 V 1.5 V 103 A 1.1 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW20G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES 160재고 상태
480예상 2027-01-07
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 40 A 650 V 1.5 V 182 A 2.2 uA - 55 C + 175 C 650 V XDW40G65 Tube

Infineon Technologies SiC 쇼트키 다이오드 SIC DIODES
240예상 2026-10-06
최소: 1
배수: 1

Through Hole TO-247-3 Single 12 A 650 V 1.5 V 71 A 600 nA - 55 C + 175 C 650 V XDW12G65 Tube