Infineon Technologies CoolGaN™650 VG5 트랜지스터

Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 트랜지스터는 전력 변환용으로 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 적용한 제품입니다. 650 VG5 제품군은 소비자, 데이터 센터, 산업 및 태양광 애플리케이션의 문제를 해결합니다. 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능으로 향상된 시스템 효율성과 전력 밀도를 제공합니다. 쿨가엔기술은 전반적인 시스템 성능을 향상하도록 설계된 개별 및 통합 솔루션을 제공합니다. Infineon Technologies CoolGaN650 VG5 트랜지스터는 높은 작동 주파수를 지원하고 EMI 등급을 낮춥니다. 이 트랜지스터는 배전, 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 통신 및 기타 산업용 애플리케이션에 적합합니다.

특징

  • 650 VGaN 트랜지스터
  • 고성능8" 자체 파운드리 공정
  • 향상 모드 (e-모드)
  • 통합 전원 스테이지
  • 초고속 스위칭 속도
  • 역회복 전하 없음
  • 역전도 성능
  • 낮은 게이트 및 출력 전하
  • 우수한 정류 견고성
  • 상시 꺼짐 트랜지스터 기술로 안전한 동작 보장
  • 신속하고 정확한 전력 공급 제어 가능
  • 시스템 효율성 및 안정성 향상
  • 까다로운 조건에서도 강력한 성능 보장
  • ESD JEDEC 표준
  • 2 kVHBM ESD 보호
  • 무연, 무할로겐 및 RoHS 규격 준수

애플리케이션

  • 가전제품
  • 데이터 센터
  • 산업
  • USB-C 어댑터/충전기
  • 전력 분배
  • 서버
  • 통신
  • 태양광/에너지 저장 시스템
  • SMPS

애플리케이션 회로도

애플리케이션 회로도 - Infineon Technologies CoolGaN™650 VG5 트랜지스터

인포그래픽

인포그래픽 - Infineon Technologies CoolGaN™650 VG5 트랜지스터
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부품 번호 데이터시트 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Qg - 게이트 전하
IGI65D1414A3MSXUMA1 IGI65D1414A3MSXUMA1 데이터시트 170 mOhms 1.8 nC
IGL65R055D2XUMA1 IGL65R055D2XUMA1 데이터시트 22 A 70 mOhms 4.7 nC
IGL65R080D2XUMA1 IGL65R080D2XUMA1 데이터시트 18 A 100 mOhms 25 nC
IGL65R110D2XUMA1 IGL65R110D2XUMA1 데이터시트 16 A 140 mOhms 2.4 nC
IGL65R140D2XUMA1 IGL65R140D2XUMA1 데이터시트 13 A 170 mOhms 1.8 nC
IGLD65R055D2AUMA1 IGLD65R055D2AUMA1 데이터시트 20 A 70 mOhms 4.7 nC
IGLD65R080D2AUMA1 IGLD65R080D2AUMA1 데이터시트 18 A 100 mOhms 3.3 nC
IGLD65R110D2AUMA1 IGLD65R110D2AUMA1 데이터시트 20 A 140 mOhms 2.4 nC
IGLD65R140D2AUMA1 IGLD65R140D2AUMA1 데이터시트 12 A 170 mOhms 1.8 nC
IGT65R025D2ATMA1 IGT65R025D2ATMA1 데이터시트 70 A 30 mOhms 11 nC
게시일: 2024-08-02 | 갱신일: 2025-09-26