Infineon Technologies CoolGaN™650 VG5 트랜지스터
Infineon Technologies CoolGaN™ 650V G5 트랜지스터는 전력 변환용으로 고효율 GaN(질화갈륨) 트랜지스터 기술을 적용한 제품입니다. 650 VG5 제품군은 소비자, 데이터 센터, 산업 및 태양광 애플리케이션의 문제를 해결합니다. 트랜지스터는 초고속 스위칭 기능으로 향상된 시스템 효율성과 전력 밀도를 제공합니다. 쿨가엔기술은 전반적인 시스템 성능을 향상하도록 설계된 개별 및 통합 솔루션을 제공합니다. Infineon Technologies CoolGaN650 VG5 트랜지스터는 높은 작동 주파수를 지원하고 EMI 등급을 낮춥니다. 이 트랜지스터는 배전, 스위치 모드 전원 공급 장치(SMPS), 통신 및 기타 산업용 애플리케이션에 적합합니다.특징
- 650 VGaN 트랜지스터
- 고성능8" 자체 파운드리 공정
- 향상 모드 (e-모드)
- 통합 전원 스테이지
- 초고속 스위칭 속도
- 역회복 전하 없음
- 역전도 성능
- 낮은 게이트 및 출력 전하
- 우수한 정류 견고성
- 상시 꺼짐 트랜지스터 기술로 안전한 동작 보장
- 신속하고 정확한 전력 공급 제어 가능
- 시스템 효율성 및 안정성 향상
- 까다로운 조건에서도 강력한 성능 보장
- ESD JEDEC 표준
- 2 kVHBM ESD 보호
- 무연, 무할로겐 및 RoHS 규격 준수
애플리케이션
- 가전제품
- 데이터 센터
- 산업
- USB-C 어댑터/충전기
- 전력 분배
- 서버
- 통신
- 태양광/에너지 저장 시스템
- SMPS
애플리케이션 회로도
인포그래픽
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| 부품 번호 | 데이터시트 | Id - 연속 드레인 전류 | Rds On - 드레인 소스 저항 | Qg - 게이트 전하 |
|---|---|---|---|---|
| IGI65D1414A3MSXUMA1 | ![]() |
170 mOhms | 1.8 nC | |
| IGL65R055D2XUMA1 | ![]() |
22 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGL65R080D2XUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 25 nC |
| IGL65R110D2XUMA1 | ![]() |
16 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGL65R140D2XUMA1 | ![]() |
13 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGLD65R055D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 70 mOhms | 4.7 nC |
| IGLD65R080D2AUMA1 | ![]() |
18 A | 100 mOhms | 3.3 nC |
| IGLD65R110D2AUMA1 | ![]() |
20 A | 140 mOhms | 2.4 nC |
| IGLD65R140D2AUMA1 | ![]() |
12 A | 170 mOhms | 1.8 nC |
| IGT65R025D2ATMA1 | ![]() |
70 A | 30 mOhms | 11 nC |
게시일: 2024-08-02
| 갱신일: 2025-09-26

