결과: 14
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
Infineon Technologies GaN FET Two 140 mohm / 650 V GaN transistors in half-bridge configuration 2,678재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT QFN-32 N-Channel 2 Channel 650 V 170 mOhms 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 1,948재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 22 A 70 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 111 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,529재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.6 V 25 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,577재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 16 A 140 mOhms - 10 V 1.6 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 59 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,407재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,307재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 70 mOhms - 10 V 1.2 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 91 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,692재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 18 A 100 mOhms - 10 V 1.2 V 3.3 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,664재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 20 A 140 mOhms - 10 V 1.2 V 2.4 nC - 55 C + 150 C 51 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 2,717재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT PG-LSON-8 HEMT 1 Channel 650 V 12 A 170 mOhms - 10 V 1.2 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 42 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 267재고 상태
6,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 10 V 1.6 V 11 nC - 55 C + 150 C 236 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 642재고 상태
8,000예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 49 A 42 mOhms - 10 V 1.6 V 7.7 nC - 55 C + 150 C 167 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 1,746재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 38 A 54 mOhms - 10 V 1.6 V 6 nC - 55 C + 150 C 131 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 1,544재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 13 A 170 mOhms - 10 V 1.6 V 1.8 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement CoolGaN
Infineon Technologies GaN FET CoolGaN Transistor 650 V G5 355재고 상태
2,000예상 2026-07-23
최소: 1
배수: 1
: 2,000

SMD/SMT PG-HSOF-8 HEMT 1 Channel 650 V 31 A 66 mOhms - 10 V 1.6 V 4.7 nC - 55 C + 150 C 106 W Enhancement CoolGaN