onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET

onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET는 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 PowerTrench® 프로세스를 활용하여 개발된 100V N채널 MV MOSFET입니다. 이 MOSFET은 탁월한 스위칭 성능 및 효율성을 전달하기 위해 온 상태 저항(RDSON)과 역회복 충전(Qrr)을 최소화합니다. 소형 게이트 충전(QG), 소형 역회복 충전(Qrr) 및 최적 수치(FOM)는 동기식 정류 애플리케이션에서 신속한 스위칭을 보장합니다. 이 장치는 오버슈트가 적거나 없으며, 전압 신호를 줄이고, 전원 공급 장치 및 모터 구동 장치 같이 정격 100V MOSFET이 필요한 애플리케이션을 위해 EMI를 낮춥니다. 추가로 이 MOSFET의 증가된 전력 밀도 덕분에 더 넓게 MOSFET 부하를 경감할 수 있습니다. 이 장치는 100% UIL 테스트를 거쳤으며 MSL1 견고한 패키지 설계로 제공됩니다.