차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET

onsemi 차폐식 게이트 PowerTrench® MOSFET는 차폐식 게이트 기술을 통합하고 있는 고급 PowerTrench® 프로세스를 활용하여 개발된 100V N채널 MV MOSFET입니다. 이 MOSFET은 탁월한 스위칭 성능 및 효율성을 전달하기 위해 온 상태 저항(RDSON)과 역회복 충전(Qrr)을 최소화합니다. 소형 게이트 충전(QG), 소형 역회복 충전(Qrr) 및 최적 수치(FOM)는 동기식 정류 애플리케이션에서 신속한 스위칭을 보장합니다. 이 장치는 오버슈트가 적거나 없으며, 전압 신호를 줄이고, 전원 공급 장치 및 모터 구동 장치 같이 정격 100V MOSFET이 필요한 애플리케이션을 위해 EMI를 낮춥니다. 추가로 이 MOSFET의 증가된 전력 밀도 덕분에 더 넓게 MOSFET 부하를 경감할 수 있습니다. 이 장치는 100% UIL 테스트를 거쳤으며 MSL1 견고한 패키지 설계로 제공됩니다.
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결과: 4
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
onsemi MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench MOSFET
데이터시트
13,972재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000
Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 78 A 5.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 37 nC - 55 C + 150 C 83 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET PTNG 100/20V Nch Power Trench Mosfet
데이터시트
30,921재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 51 A 9.9 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 21 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100V/20V N-Channel PTNG MOSFET
데이터시트
3,653재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 151 A 2.4 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 84 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi MOSFET 100V/20V N-Chnl Power Trench MOSFET
데이터시트
9,000주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 3,000

Si SMD/SMT Power-56-8 N-Channel 1 Channel 100 V 124 A 12 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel