SRAM

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수량 RoHS ECAD 모델 메모리 크기
조직
액세스 시간
최대 클록 주파수
인터페이스 타입
공급 전압 - 최대
공급 전압 - 최소
공급 전류 - 최대
최저 작동온도
최고 작동온도
장착 스타일
패키지/케이스
자격
포장
Renesas Electronics SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
데이터시트
1,377예상 2026-11-02
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 1,500

4 Mbit 256 k x 16 15 ns Parallel 3.6 V 3 V 170 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape, MouseReel
Renesas Electronics SRAM 9M 3.3V PBSRAM SLOW F/T
데이터시트
196예상 2026-11-13
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 7.5 ns 117 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 285 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 4M x 36 144M
데이터시트
10재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
144 Mbit 4 M x 36 6.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 415 mA, 535 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
36예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 100 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 18 18M
데이터시트
36예상 2026-08-12
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 1 M x 18 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 230 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
18예상 2026-08-13
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 210 mA, 220 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 2M x 18 36M
데이터시트
14예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1
36 Mbit 2 M x 18 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 205 mA, 240 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 256K x 36 9M
데이터시트
42예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 160 mA, 190 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-119 Tray

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
5,400주문 중
최소: 1
배수: 1

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 25 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44
ISSI SRAM 32Mb, SerialRAM, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
데이터시트
14,158주문 중
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 3,000

32 Mbit 4 M x 8 7 ns 104 MHz SPI 3.6 V 2.7 V 15 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT SOIC-8 Reel, Cut Tape, MouseReel
ISSI IS66WVQ8M4DALL-200BLI
ISSI SRAM 32Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
데이터시트
429재고 상태
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 8 M x 4 5 ns 200 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 20 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TFBGA-24
Renesas Electronics SRAM 32K X 36 SYNCH DPRAM
데이터시트
41예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1
없음
1 Mbit 32 k x 36 6 ns 133 MHz 3.45 V 3.15 V 360 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-256 Tray
Renesas Electronics SRAM 64K X 36 3.3V SYNC DP RAM
데이터시트
40예상 2026-12-21
최소: 1
배수: 1
없음
2 Mbit 64 k x 36 25 ns 133 MHz Parallel 3.45 V 3.15 V 480 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT CABGA-256 Tray
Infineon Technologies CY7C1461KV33-133AXI
Infineon Technologies SRAM No Bus Latency(NoBL) Burst SRAM
데이터시트
72예상 2026-09-17
최소: 1
배수: 1

36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 133 MHz - 40 C + 85 C Tray
Infineon Technologies CY7C4142KV13-933FCXI
Infineon Technologies SRAM SYNC
데이터시트
39예상 2026-12-24
최소: 1
배수: 1

85 ps 4 A Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
36예상 2027-01-18
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 5.5 ns 250 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA, 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 512K x 36 18M
데이터시트
36재고 상태
최소: 1
배수: 1

18 Mbit 512 k x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 230 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT BGA-165 Tray

Microchip Technology SRAM 256K 32K X 8 1.7V SERIAL SRAM IND
데이터시트
84주문 중
최소: 1
배수: 1

256 kbit 32 k x 8 32 ns 20 MHz SPI 1.95 V 1.7 V 10 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSSOP-8 Tube
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 5.0V STATIC RAM
데이터시트
269예상 2026-12-28
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 5.5 V 4.5 V 180 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 64Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V STATIC RAM
데이터시트
127주문 중
최소: 1
배수: 1

1 Mbit 64 k x 16 12 ns Parallel 3.6 V 3 V 150 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TSOP-44 Tray
Renesas Electronics SRAM 9M ZBT SLOW X36 P/L 3.3V
데이터시트
41예상 2026-09-11
최소: 1
배수: 1

9 Mbit 256 k x 36 10 ns 100 MHz Parallel 3.465 V 3.135 V 250 mA 0 C + 70 C SMD/SMT TQFP-100 Tray
GSI Technology SRAM 2.5 or 3.3V 1M x 36 36M
데이터시트
18재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
36 Mbit 1 M x 36 7.5 ns 150 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V 190 mA, 200 mA 0 C + 70 C SMD/SMT BGA-165 Tray
GSI Technology SRAM
3예상 2026-08-28
최소: 1
배수: 1
없음
36 Mbit 1 M x 36 6.5 ns 200 MHz Parallel 3.6 V 2.3 V - 40 C + 125 C SMD/SMT BGA-165
ISSI IS61WV204816BLL-10TLI
ISSI SRAM 32Mb High-Speed Async 2Mbx16 10ns
데이터시트
3,840주문 중
최소: 1
배수: 1

32 Mbit 2 M x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 90 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-48

ISSI SRAM 4Mb,High-Speed/Low Power,Async with ECC,256K x 16,8ns/3.3v +/-10%,or 10ns/2.4v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
데이터시트
1,930주문 중
최소: 1
배수: 1
: 1,000

4 Mbit 256 k x 16 10 ns Parallel 3.6 V 2.4 V 35 mA - 40 C + 85 C SMD/SMT TSOP-44 Reel, Cut Tape