UJ4C/SC 750 V Gen 4 SiC FET

Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET는 전도 손실을 줄이고 더 빠른 속도로 효율을 높여 전반적인 비용 효율성을 개선하는, 업계 최고의 성능 지수를 제공하는 고성능 시리즈입니다. 5.4mΩ ~60mΩ 옵션으로 제공되는 Gen 4 시리즈는 고성능 SiC JFET가 캐스코드 최적화된 Si-MOSFET과 함께 패키지되어 표준 게이트 드라이브 SiC 장치를 만듭니다. UJ4C/SC 750V FET의 표준 게이트 드라이브 특성 덕분에 “드롭-인 교체” 기능을 지원합니다. 설계자는 기존 Si IGBT, Si FET, SiC FET 또는 Si 초접합 소자를 Qorvo UJ4C/SC FET로 대체하여 게이트 드라이브 전압을 변경하지 않고 시스템 성능을 크게 향상할 수 있습니다.

결과: 29
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명
onsemi SiC MOSFET 750V/6MOSICFETG4TO247-4 600재고 상태
₩85,722
₩61,167.6
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 120 A 5.9 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 714 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 642재고 상태
₩21,793.2
₩12,511.2
₩12,402
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247-4 562재고 상태
₩20,560.8
₩11,419.2
₩10,920
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO263 486재고 상태
컷 테이프
₩23,727.6
₩13,899.6
₩13,150.8
릴
₩13,150.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 44 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 197 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO263 648재고 상태
컷 테이프
₩21,886.8
₩12,526.8
₩11,856
릴
₩11,856
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 35.6 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO263 1,266재고 상태
컷 테이프
₩12,277.2
₩6,630
₩6,567.6
₩6,333.6
릴
₩6,333.6
₩5,538
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 25.8 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 128 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO263-7 278재고 상태
컷 테이프
₩38,157.6
₩28,501.2
₩24,648
₩22,089.6
릴
₩22,089.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 72 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 259 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TO247 1,258재고 상태
₩23,868
₩14,398.8
₩12,261.6
₩11,278.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 28 A 74 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO263-7 287재고 상태
컷 테이프
₩46,144.8
₩36,550.8
₩34,086
₩30,825.6
릴
₩30,825.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7L 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/5MOSICFETG4TOLL 1,630재고 상태
컷 테이프
₩79,622.4
₩64,272
₩58,827.6
릴
₩58,827.6
최소: 1
배수: 1
최대: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 120 A 5 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 164 nC - 55 C + 175 C 1.153 kW Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/8MOSICFETG4TOLL 712재고 상태
컷 테이프
₩52,852.8
₩38,610
₩36,862.8
₩36,550.8
릴
₩36,550.8
최소: 1
배수: 1
최대: 2,000
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 106 A 8 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 600 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TOLL 2,497재고 상태
컷 테이프
₩35,817.6
₩23,228.4
₩21,918
₩20,748
릴
₩20,748
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 53 A 18 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 349 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TOLL 2,815재고 상태
컷 테이프
₩24,570
₩14,554.8
₩14,539.2
₩13,774.8
릴
₩13,774.8
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 44 A 33 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 205 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TOLL 2,525재고 상태
컷 테이프
₩21,746.4
₩12,417.6
₩11,746.8
릴
₩11,746.8
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 35.6 A 44 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 181 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/60MOSICFETG4TOLL 3,269재고 상태
컷 테이프
₩17,955.6
₩10,046.4
₩9,672
₩9,141.6
릴
₩9,141.6
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 27.8 A 58 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 155 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TOLL 1,266재고 상태
컷 테이프
₩29,952
₩21,325.2
₩18,782.4
₩17,534.4
릴
₩17,534.4
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT MO-229-8 1 Channel 750 V 64 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 3,930재고 상태
2,400예상 2026-10-19
₩24,242.4
₩13,852.8
₩12,885.6
₩12,807.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 313재고 상태
600예상 2026-12-18
₩19,250.4
₩10,608
₩10,015.2
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/23MOSICFETG4TO247 1,908재고 상태
₩20,030.4
₩11,247.6
₩10,951.2
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 66 A 29 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 306 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247 211재고 상태
₩24,382.8
₩13,790.4
₩13,634.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/33MOSICFETG4TO247 291재고 상태
₩26,551.2
₩15,100.8
₩14,180.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 47 A 41 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/44MOSICFETG4TO247 371재고 상태
₩19,032
₩10,483.2
₩9,874.8
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-3 1 Channel 750 V 37.4 A 56 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 203 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/9MOSICFETG4TO263-7 331재고 상태
컷 테이프
₩52,260
₩38,064
₩36,036
릴
₩36,036
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 750 V 106 A 9 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/11MOSICFETG4TO247-4 976재고 상태
₩30,888
₩23,072.4
₩19,952.4
₩18,891.6
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 104 A 11 mOhms - 20 V, + 20 V 5.5 V 75 nC - 55 C + 175 C 357 W Enhancement SiC FET
onsemi SiC MOSFET 750V/18MOSICFETG4TO247 10재고 상태
600예상 2027-10-28
₩36,535.2
₩22,604.4
최소: 1
배수: 1
최대: 600
Through Hole TO-247-4 1 Channel 750 V 81 A 23 mOhms - 20 V, + 20 V 6 V 37.8 nC - 55 C + 175 C 385 W Enhancement AEC-Q101 SiC FET