650V SiC(탄화 규소) MOSFET

onsemi 650V SiC(탄화 규소) MOSFET은 Si(규소)에 비해 우수한 스위칭 성능과 높은 신뢰성을 제공합니다. 650V SiC MOSFET은 낮은 온 상태 저항과 낮은 정전용량 및 게이트 전하를 보장하는 콤팩트한 칩 크기가 특징입니다. 장점에 대한 예로는 고효율, 빠른 작동 주파수, 증가된 전력 밀도, 감소된 EMI 및 감소된 시스템 크기를 들 수 있습니다.

결과: 29
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 상표명
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 3,250재고 상태
컷 테이프
₩42,822
₩33,306
₩31,777.2
₩31,527.6
릴
₩31,527.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 312재고 상태
컷 테이프
₩19,141.2
₩10,779.6
₩10,514.4
₩9,952.8
릴
₩9,952.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 46 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 170 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 1,046재고 상태
₩29,858.4
₩21,122.4
최소: 1
배수: 1
최대: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 1,282재고 상태
컷 테이프
₩36,535.2
₩27,284.4
₩23,587.2
₩21,153.6
릴
₩21,153.6
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 106 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 438재고 상태
₩21,325.2
₩13,041.6
₩12,308.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 66 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 291 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V 497재고 상태
₩15,818.4
₩10,498.8
₩9,890.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 47 A 70 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 176 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 895재고 상태
4,950예상 2027-06-25
₩19,437.6
₩12,573.6
₩9,968.4
최소: 1
배수: 1
최대: 450
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 40 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 262 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 1,589재고 상태
₩18,876
₩13,072.8
₩12,807.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 55 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 380재고 상태
₩17,066.4
₩11,076
₩10,498.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 33 A 70 mOhms - 18 V, + 18 V 4.3 V 74 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 449재고 상태
₩32,619.6
₩21,387.6
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 99 A 28.5 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 164 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 766재고 상태
₩16,988.4
₩9,718.8
₩9,032.4
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 38 A 85 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 61 nC - 55 C + 175 C 148 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TOLL 650V 1,364재고 상태
컷 테이프
₩19,749.6
₩12,074.4
₩11,388
릴
₩11,388
최소: 1
배수: 1
: 2,000
SMD/SMT PSOF-8 1 Channel 650 V 73 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 348 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 794재고 상태
컷 테이프
₩20,124
₩13,150.8
₩12,526.8
₩12,448.8
릴
₩12,448.8
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 121 W Enhancement EliteSiC

onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 202재고 상태
₩44,881.2
₩31,512
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 142 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 418재고 상태
컷 테이프
₩30,154.8
₩18,938.4
₩17,924.4
릴
₩17,924.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 62 A 50 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 105 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 650V 453재고 상태
컷 테이프
₩60,403.2
₩45,630
₩45,598.8
₩43,196.4
릴
₩43,196.4
최소: 1
배수: 1
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 145 A 18 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 283 nC - 55 C + 175 C 500 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 752재고 상태
컷 테이프
₩14,882.4
₩8,174.4
릴
₩8,174.4
최소: 1
배수: 1
최대: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 531재고 상태
₩16,395.6
₩9,032.4
최소: 1
배수: 1
최대: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 10 V, + 22.6 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 650V 422재고 상태
₩15,490.8
₩8,548.8
₩7,534.8
최소: 1
배수: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 31 A 105 mOhms - 8 V, + 22 V 4.3 V 50 nC - 55 C + 175 C 129 W Enhancement EliteSiC
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 32MOHM 650V M3S 2,818재고 상태
₩15,834
₩8,751.6
최소: 1
배수: 1
최대: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 51 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S 722재고 상태
컷 테이프
₩25,412.4
₩15,194.4
릴
₩15,194.4
최소: 1
배수: 1
최대: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS D2PAK-7L 32MOHM 650V M3S 800재고 상태
컷 테이프
₩22,495.2
₩12,979.2
릴
₩12,979.2
최소: 1
배수: 1
최대: 80
: 800
SMD/SMT D2PAK-7 1 Channel 650 V 52 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 23MOHM 650V M3S 400재고 상태
₩32,104.8
₩20,077.2
최소: 1
배수: 1
최대: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 67 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 245 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-4L 32MOHM 650V M3S 396재고 상태
₩23,868
₩13,462.8
최소: 1
배수: 1
최대: 45
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 50 A 44 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 55 nC - 55 C + 175 C 187 W Enhancement
onsemi SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S 450재고 상태
₩26,114.4
₩15,163.2
최소: 1
배수: 1
최대: 45
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 33 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V 69 nC - 55 C + 175 C 263 W Enhancement