R60/R65 N-채널 전력 MOSFET

ROHM Semiconductor R60/R65 N채널 전력 MOSFET은 TO-220FM-3 패키지로 600V 또는 650V 드레인-소스 전압의 단일 채널 출력을 제공합니다. R60/R65 MOSFET는 -55°C~150°C/155°C의 작동 온도 범위와 7.8W, 6.6W, 12.3W, 9.1W, 40W, 46W, 48W, 53W, 68W, 74W 또는 86W의 전력 손실 옵션을 제공합니다. R60/R65 N-채널 전력 MOSFET은 스위칭 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 56
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 66A N-CH MOSFET
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984재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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5,813재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 155 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 30A N-CH MOSFET
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2,430재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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1,964재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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680재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 9A N-CH MOSFET
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1,727재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 9 A 535 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 4A N-CH MOSFET
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1,986재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 15A N-CH MOSFET
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3,953재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 20A N-CH MOSFET
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916재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 196 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 4A N-CH MOSFET
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1,959재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 20A N-CH MOSFET
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1,639재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 9A N-CH MOSFET
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3,941재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 48 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 183A N-CH MOSFET
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594재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 4A N-CH MOSFET
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3,803재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 155 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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3,429재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 40 nC - 55 C + 155 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 7A N-CH MOSFET
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1,972재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 11A N-CH MOSFET
데이터시트
1,938재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 400 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 22 nC - 55 C + 150 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 11A N-CH MOSFET
데이터시트
8,034재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 390 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 32 nC - 55 C + 155 C 53 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 15A N-CH MOSFET
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2,894재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 15 A 290 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 60 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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4,919재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
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1,932재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 7A N-CH MOSFET
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4,998재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 46 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
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1,970재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 6A N-CH MOSFET
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1,963재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 12 nC - 55 C + 150 C 40 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
데이터시트
1,219재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube