Integrated Silicon Solution Inc

결과: 94
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수량 RoHS
ISSI IS42VM32800M-6BLI
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 256M, 1.8V, Mobile SDRAM, 8Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 240
배수: 240

ISSI IS43LR16320D-5BLI
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

ISSI IS43LR16320D-6BLI
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 512M, 1.8V, Mobile DDR, 32Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT 비재고 리드 타임 16 주
최소: 300
배수: 300

ISSI IS46LQ16512B-046BLA1-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ16512B-046BLA2-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ16512B-053BLA1-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +95C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ16512B-053BLA2-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +105C), 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx16, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ32512A-046BLA1-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +95C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ32512A-046BLA2-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ32512A-053BLA1-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +95C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ32512A-053BLA2-TR
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +105C), 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R 비재고 리드 타임 26 주
최소: 2,500
배수: 2,500
릴: 2,500

ISSI IS46LQ32K01S2A-046BLA1
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +95C), 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

ISSI IS46LQ32K01S2A-046BLA2
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +105C), 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

ISSI IS46LQ32K01S2A-053BLA1
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +95C), 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

ISSI IS46LQ32K01S2A-053BLA2
ISSI Integrated Silicon Solution Inc Automotive (Tc: -40 to +105C), 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS 비재고 리드 타임 26 주
최소: 136
배수: 136

ISSI IS38SML01G8B-JHLA2
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 1Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

ISSI IS38SML01G8B-JJLA2
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 1Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

ISSI IS38SML04G8B-JHLA2
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 4Gb, 8bit ECC, 24-ball TFBGA 6x8x1.2 mm, 3V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480

ISSI IS38SML04G8B-JJLA2
ISSI Integrated Silicon Solution Inc 4Gb, 8bit ECC, 8-contact WSON 8x6mm, 3V, RoHS, Auto Grade 비재고 리드 타임 20 주
최소: 480
배수: 480