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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 작동 주파수 작동 공급 전압 이득 타입 장착 스타일 패키지/케이스 기술 P1dB - 압축 지점 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장
NXP Semiconductors RF 증폭기 Airfast RF Power Integrated Power Amplifier, 25 W Pulse over 2400-3100 MHz, 32 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

2.4 GHz to 3.1 GHz 32 V 31.9 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-17 Si - 40 C + 150 C AFIC31025 Reel
NXP Semiconductors RF 증폭기 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 575-1300 MHz, 4 W AVG., 48 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

575 MHz to 1.3 GHz 48 V to 55 V 34.3 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-15 Si 43.8 dBm - 40 C + 150 C A2I09VD030 Reel
NXP Semiconductors RF 증폭기 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

978 MHz to 1.09 GHz 50 V 32.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 40 C + 150 C AFIC10275 Reel
NXP Semiconductors RF 증폭기 HV8IC 70W TO270WBL16 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

32 V Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBL-16 Si MD8IC970N Reel
NXP Semiconductors RF 증폭기 Airfast RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier, 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V 비재고 리드 타임 26 주
최소: 50
배수: 50
: 50

978 MHz to 1.09 GHz 50 V 32.1 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 40 C + 150 C AFIC10275 Reel
NXP Semiconductors A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors RF 증폭기 A3G26D055N 2400-2500 MHz Reference Circuit 비재고 리드 타임 1주
최소: 1
배수: 1
2.515 GHz to 2.675 GHz 13.9 dB SMD/SMT DFN-6 GaN - 55 C + 150 C A3G26D055N-2400
NXP Semiconductors MMRF2010GNR1
NXP Semiconductors RF 증폭기 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WBG-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel
NXP Semiconductors MMRF2010NR1
NXP Semiconductors RF 증폭기 Airfast RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 1030-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V 비재고 리드 타임 10 주
최소: 500
배수: 500
: 500

1.03 GHz to 1.09 GHz 50 V 32.6 dB Power Amplifiers SMD/SMT TO-270WB-14 Si - 55 C + 150 C MMRF2010 Reel