SST26WF080B 시리즈 NOR 플래시

결과: 11
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 장착 스타일 패키지/케이스 시리즈 메모리 크기 공급 전압 - 최소 공급 전압 - 최대 능동 읽기 전류 - 최대 인터페이스 타입 최대 클록 주파수 조직 데이터 버스 너비 최저 작동온도 최고 작동온도 포장
Microchip Technology NOR 플래시 8Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 USON 2,232재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

SMD/SMT UDFN-8 SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 317재고 상태
최소: 1
배수: 1

SMD/SMT SOIC-8 SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

TDFN-S-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 USON 비재고 리드 타임 7 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

UDFN-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 비재고 리드 타임 6 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

SOIC-8 SST26WF080B Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 588
배수: 588

SMD/SMT SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Tube
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 588
배수: 588

TDFN-S-8 SST26WF080B Tube
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 비재고 리드 타임 5 주
최소: 600
배수: 600

SOIC-8 SST26WF080B Tube
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 TDFN 비재고 리드 타임 7 주
최소: 2,000
배수: 2,000
: 2,000

SMD/SMT TDFN-S-8 SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 SOIC 비재고 리드 타임 5 주
최소: 3,300
배수: 3,300
: 3,300

SMD/SMT SOIC-8 SST26WF080B 8 Mbit 1.65 V 1.95 V 20 mA SPI 104 MHz 1 M x 8 8 bit - 40 C + 85 C Reel
Microchip Technology NOR 플래시 4Mb SQI Flash Memory 1.8V 8 CSP 비재고 리드 타임 51 주
최소: 48,000
배수: 48,000
: 3,000

CSP-8 SST26WF080B Reel