574 MOSFET

결과: 29
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 자격 상표명 포장
Vishay / Siliconix MOSFET N-Channel 150 V (D-S) MOSFET 150 C 13.8 m 10V 5,870재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SO-8 N-Channel 1 Channel 150 V 48.1 A 13.5 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 31.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay MOSFET SOT669 150V 48.1A N-CH MOSFET 2,724재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si Reel, Cut Tape
Vishay Semiconductors SQJQ574E-T1_GE3
Vishay Semiconductors MOSFET N-CHANNEL 150-V (D-S) 175C MOSFET
1,950예상 2026-10-05
최소: 1
배수: 1

N-Channel 150 V Enhancement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 879재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 139 A 4.25 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 5,894재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 33 A 85 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 40 C + 150 C 137 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 917재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 39 A 73 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 40 C + 150 C 154 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 4,647재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 4 A 1.15 Ohms - 16 V, 16 V 2.5 V 4.7 nC - 40 C + 150 C 6.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 1,622재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 13 A 218 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 40 C + 150 C 59 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Central Semiconductor MOSFET N-Ch 450mA MOSFET & 40V 500mA Schottky 20,172구매 가능한 공장 재고품
최소: 9,000
배수: 3,000
: 3,000

Si Reel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 8,769재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 185 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 108 nC - 55 C + 175 C 188 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IR FET UP TO 60V 467재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole N-Channel 1 Channel 30 V 210 A 1.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.35 V 224 nC - 55 C + 175 C 3.8 W Enhancement StrongIRFET Tube
Nexperia MOSFET SOT1235 N-CH 80V 286A 3,466재고 상태
4,000예상 2027-04-19
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT SOT-1235-4 N-Channel 1 Channel 80 V 286 A 1.9 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 155 nC - 55 C + 175 C 340 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 929재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 194 A 1.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 155 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 7,502재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 90 A 4.1 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 125 nC - 55 C + 175 C 137 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Panjit MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 3,000
배수: 3,000
: 3,000

Si SMD/SMT DFN-5060-8 N-Channel 1 Channel 100 V 56 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 68 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies IRFB4229PBFXKMA1
Infineon Technologies MOSFET IR FET >60-400V 1,910재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 250 V 46 A 46 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 72 nC - 40 C + 175 C 330 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 비재고 리드 타임 20 주
최소: 5,000
배수: 5,000
: 5,000

Si SMD/SMT DFN-3333-8 N-Channel 1 Channel 100 V 52 A 11.3 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 35 nC - 55 C + 175 C 60 W Enhancement AEC-Q101 Reel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 4,435재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 75 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 69 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 1,251재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 100 V 135 A 4.35 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 57 nC - 55 C + 175 C 167 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET MOSFET_(20V 40V) 15,343재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) P-Channel 1 Channel 30 V 80 A 8.7 mOhms - 16 V, 5 V 1.5 V 63 nC - 55 C + 175 C 88 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >80 - 100V 415재고 상태
800주문 중
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-7 N-Channel 1 Channel 100 V 117 A 5.05 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 51 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW 4,754재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 27 A 104 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 40 C + 150 C 111 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 75V 100A TDSON-8 OptiMOS 3 3,510재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 5,000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 75 V 100 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 69 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER 154재고 상태
15,000주문 중
최소: 1
배수: 1
: 3,000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 700 V 12.5 A 300 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 16.4 nC - 40 C + 150 C 7.2 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET 60V 87재고 상태
1,000예상 2026-05-14
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 60 V 198 A 1.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.1 V 203 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube