|
|
MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
- TK49N65W,S1F(S
- Toshiba
-
1:
₩16,936
-
재고 없음
|
Mouser 부품 번호
757-TK49N65W,S1F(S
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET 49.2A 400W 650V
|
|
재고 없음
|
|
|
₩16,936
|
|
|
₩13,782.4
|
|
|
₩11,475.6
|
|
|
₩10,220
|
|
|
₩8,672.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-247-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
49.2 A
|
55 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
160 nC
|
|
+ 150 C
|
400 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
- TK6A65W,S5X
- Toshiba
-
1:
₩3,212
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK6A65WS5X
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩3,212
|
|
|
₩1,562.2
|
|
|
₩1,400.1
|
|
|
₩1,118.4
|
|
|
보기
|
|
|
₩987
|
|
|
₩956.3
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
5.8 A
|
850 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
- TK6Q65W,S1Q
- Toshiba
-
1:
₩3,226.6
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK6Q65WS1Q
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩3,226.6
|
|
|
₩1,474.6
|
|
|
₩1,257.1
|
|
|
₩1,054.1
|
|
|
보기
|
|
|
₩950.5
|
|
|
₩915.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
5.8 A
|
890 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
11 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
60 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
- TK7E80W,S1X
- Toshiba
-
1:
₩6,380.2
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK7E80WS1X
|
Toshiba
|
MOSFET N-Ch 800V 700pF 13nC 6.5A 110W
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩6,380.2
|
|
|
₩3,285
|
|
|
₩2,920
|
|
|
₩2,452.8
|
|
|
₩2,321.4
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
800 V
|
6.5 A
|
795 mOhms
|
- 20 V, 20 V
|
3 V
|
13 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
110 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
- TK7P60W5,RVQ
- Toshiba
-
2,000:
₩1,179.7
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK7P60W5RVQ
|
Toshiba
|
MOSFET DTMOSIV 600V 600mOhm DPKw/Hgh Speed Diode
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩1,179.7
|
|
|
₩1,169.5
|
|
|
견적
|
|
|
견적
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
7 A
|
540 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
4.5 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
60 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Reel
|
|
|
|
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
- TK8A60W,S4VX
- Toshiba
-
1:
₩4,774.2
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK8A60WS4VX
|
Toshiba
|
MOSFET N-Ch 8A 30W FET 600V 570pF 18.5nC
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩4,774.2
|
|
|
₩2,409
|
|
|
₩2,175.4
|
|
|
₩1,795.8
|
|
|
₩1,620.6
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
8 A
|
420 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3.7 V
|
18.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
- TK8A65W,S5X
- Toshiba
-
1:
₩3,562.4
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK8A65WS5X
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩3,562.4
|
|
|
₩1,752
|
|
|
₩1,576.8
|
|
|
₩1,273.1
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,124.2
|
|
|
₩1,092.1
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7.8 A
|
530 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
- TK8P60W,RVQ
- Toshiba
-
2,000:
₩1,810.4
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK8P60WRVQ
|
Toshiba
|
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
8 A
|
420 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3.7 V
|
18.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
80 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Reel
|
|
|
|
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
- TK8Q60W,S1VQ
- Toshiba
-
1:
₩5,007.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK8Q60WS1VQ
|
Toshiba
|
MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩5,007.8
|
|
|
₩2,555
|
|
|
₩2,306.8
|
|
|
₩1,985.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,810.4
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
600 V
|
8 A
|
420 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
3.7 V
|
18.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
80 W
|
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
- TK8Q65W,S1Q
- Toshiba
-
1:
₩4,058.8
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK8Q65WS1Q
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩4,058.8
|
|
|
₩1,898
|
|
|
₩1,635.2
|
|
|
₩1,420.6
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,257.1
|
|
|
견적
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-251-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
7.8 A
|
550 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
16 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
80 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
- TK9A65W,S5X
- Toshiba
-
1:
₩4,204.8
-
비재고 리드 타임 32 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK9A65WS5X
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
|
|
비재고 리드 타임 32 주
|
|
|
₩4,204.8
|
|
|
₩2,087.8
|
|
|
₩1,883.4
|
|
|
₩1,533
|
|
|
보기
|
|
|
₩1,382.6
|
|
|
₩1,378.2
|
|
최소: 1
배수: 1
|
|
|
Si
|
Through Hole
|
TO-220-3
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
9.3 A
|
430 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
30 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Tube
|
|
|
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
- TK9P65W,RQ
- Toshiba
-
2,000:
₩1,403.1
-
비재고 리드 타임 20 주
|
Mouser 부품 번호
757-TK9P65WRQ
|
Toshiba
|
MOSFET Power MOSFET N-Channel
|
|
비재고 리드 타임 20 주
|
|
|
₩1,403.1
|
|
|
₩1,369.5
|
|
최소: 2,000
배수: 2,000
|
|
|
Si
|
SMD/SMT
|
DPAK-3 (TO-252-3)
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
9.3 A
|
460 mOhms
|
- 30 V, 30 V
|
2.5 V
|
20 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
80 W
|
Enhancement
|
DTMOSIV
|
Reel
|
|