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TK8P60W,RVQ

Name: Toshiba TK8P60W,RVQ
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK8P60WRVQ
Price: 1810 KRW
Availability: OutOfStock

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Mouser 번호:

757-TK8P60WRVQ

제조업체 번호:

TK8P60W,RVQ

제조업체:

Toshiba

설명:

MOSFET DTMOSIV 600V 500mOhm 8A 80W 570pF 18.5nC

데이터시트:

TK8P60W,RVQ 데이터시트 (PDF)

ECAD 모델:

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제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Toshiba
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
기술:	Si
장착 스타일:	SMD/SMT
패키지/케이스:	DPAK-3 (TO-252-3)
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	8 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	420 mOhms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	3.7 V
Qg - 게이트 전하:	18.5 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	80 W
채널 모드:	Enhancement
상표명:	DTMOSIV
포장:	Reel
브랜드:	Toshiba
구성:	Single
하강 시간:	5.5 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	20 ns
시리즈:	TK8P60W
팩토리 팩 수량:	2000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	70 ns
표준 턴-온 지연 시간:	40 ns
단위 중량:	330 mg

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문서 필터:

데이터시트

TK8P60W,RVQ 데이터시트 (PDF)

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CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

DTMOSIV Series MOSFETs

Toshiba DTMOSIV MOSFETs use the state-of-the-art single epitaxial process, which provides a 30% reduction in R_DS(on), a figure of merit (FOM) for MOSFETs, compared to its predecessor, DTMOSIII. This reduction in the R_DS(on) makes it possible to house lower R_DS(on) chips in the same packages. This helps to improve efficiency and reduce the size of power supplies. Toshiba DTMOSIV MOSFETs are ideal for use with switching regulators.