Tube MOSFET

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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
자격
상표명
포장
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 22 mOhm typ., 84 A STMESH trench T Power MOSFET
데이터시트
411재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 84 A 28 mOhms 30 V 4.2 V 164 nC - 55 C + 150 C 481 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V 32 mOhm typ. 62 A MDmesh M9 Power MOSFET in a TO-247 long leads
데이터시트
299재고 상태
최소: 1
배수: 1
최대: 50

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 30 V 62 A 35 mOhms - 30 V, 30 V 4.2 V 112 nC - 55 C + 150 C 321 mW Enhancement Tube
iDEAL Semiconductor MOSFET SuperQ power MOSFET 200 V, 25m? max, normal threshold level in TO-220 package
데이터시트
2,102재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 40 A 25 mOhms 20 V 4.1 V 26.5 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement SuperQ Tube

Vishay / Siliconix MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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1,901재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247AC-3 N-Channel 1 Channel 600 V 80 A 26 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 295 nC - 55 C + 150 C 520 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 500V 20A NCH MOSFET
데이터시트
7,438재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 20 A 230 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 59.5 nC - 55 C + 150 C 38.5 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET 1000V N-Channe MOSFET
데이터시트
10,888재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 1 kV 8 A 1.45 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 70 nC - 55 C + 150 C 225 W Enhancement QFET Tube
IXYS MOSFET DiscMosfet NCh Std-VeryHiVolt TO-247AD
데이터시트
273재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 4.5 kV 1.4 A 40 Ohms - 20 V, 20 V 6 V 88 nC - 55 C + 150 C 960 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SF3 650V 50MOHM
데이터시트
1,908재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 58 A 50 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 125 nC - 55 C + 150 C 378 W Enhancement SuperFET III Tube
onsemi MOSFET 250V N-Ch MOSFET
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16,463재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 250 V 59 A 49 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 82 nC - 55 C + 150 C 392 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET Single N-Ch 500V .12Ohm SMPS
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6,774재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 500 V 44 A 120 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 108 nC - 55 C + 175 C 750 W Enhancement Tube
onsemi MOSFET UNIFET2 600V N-CH MOSFET SINGLE GAGE
데이터시트
13,277재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 530 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 34 nC - 55 C + 150 C 39 W Enhancement UniFET Tube
IXYS MOSFET 200V, 120A, Ultra junction X4, TO-220 package, MOSFET
데이터시트
726재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 200 V 120 A 9.5 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 108 nC - 55 C + 175 C 417 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SprFET2 650V 190mohm FRFET TO247 longlea
데이터시트
6,021재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20.6 A 168 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 60 nC - 55 C + 150 C 208 W Enhancement SuperFET II Tube
IXYS MOSFET 230A 200V
데이터시트
931재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-264-3 N-Channel 1 Channel 200 V 230 A 7.5 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 358 nC - 55 C + 175 C 1.67 kW Enhancement HiPerFET Tube


IXYS MOSFET ISOPLUS 4.7KV 2A N-CH HIVOLT
데이터시트
366재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole ISOPLUS-i5-PAK-3 N-Channel 1 Channel 4.7 kV 2 A 20 Ohms - 20 V, 20 V 3.5 V 180 nC - 55 C + 150 C 220 W Enhancement ISOPLUS i5-PAC Tube
Vishay / Siliconix MOSFET 200V Vds 20V Vgs TO-220AB
데이터시트
37,706재고 상태
최소: 1
배수: 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 200 V 90 A 12.6 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 87 nC - 55 C + 175 C 375 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET P-Chan 400V 1.8 Amp
데이터시트
22,272재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-251-3 P-Channel 1 Channel 400 V 1.8 A 7 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
데이터시트
2,862재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 mA 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 34 nC - 55 C + 150 C 150 W Enhancement Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 38 mOhm typ., 56 A MDmesh DM9 Power MOSFET
데이터시트
931재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 56 A 43 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 78.6 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 650V 390mohm 10A Easy to driver SJ MOSFET
데이터시트
1,710재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole ITO-220AB-F-3 N-Channel 1 Channel 650 V 19 A 210 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 19 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement Tube
Panjit MOSFET 600V 190mohm 20.6A Easy to driver SJ MOSFET
데이터시트
1,441재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Tube
Panjit MOSFET 100V 5mohm Low FOM MOSFET
데이터시트
1,707재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220AB-L-3 N-Channel 1 Channel 100 V 120 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 3.8 V 40.5 nC - 55 C + 150 C 138 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 30A 3rd Gen, Fast Switch
데이터시트
1,690재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 305 W Enhancement Tube

onsemi MOSFET SuperFET2 800V
데이터시트
1,485재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 58 A 60 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 350 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement Tube

IXYS MOSFET 600V 22A 0.36Ohm PolarP3 Power MOSFET
데이터시트
4,424재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 22 A 360 mOhms - 30 V, 30 V 5 V 38 nC - 55 C + 150 C 500 W Enhancement HiPerFET Tube