Vishay IRFBC 시리즈 MOSFET

결과: 19
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1,518재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1,895재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1,920재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp 546재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1,053재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 42 nC - 55 C + 150 C 96 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET 256재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp 846재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp 502재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp 787재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 1,361재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 60 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp 453재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 60 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 2.2A N-CH 1,944재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 600V 3.6A N-CH 821재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 4.5 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V 437재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 600 V 3.6 A 2.2 Ohms - 30 V, 30 V 2 V 23 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6.2 A 1.2 Ohms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 2.2A N-CH MOSFET 재고 없음
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 600 V 2.2 A 4.4 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 18 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 600V 3.6A N-CH MOSFET 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp 재고 없음
최소: 800
배수: 800
: 800

Si Reel
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 600V 재고 없음
최소: 1,000
배수: 1,000

Si Through Hole TO-262-3 Tube