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IRFBC40APBF-BE3

Name: Vishay IRFBC40APBF-BE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-IRFBC40APBF-BE3
Price: 4715 KRW
Availability: InStock

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Mouser 번호:

78-IRFBC40APBF-BE3

제조업체 번호:

IRFBC40APBF-BE3

제조업체:

Vishay / Siliconix

설명:

MOSFET TO220 600V 6.2A N-CH MOSFET

데이터시트:

IRFBC40APBF-BE3 데이터시트

ECAD 모델:

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재고 상태: 1,518

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가격 (KRW)

수량	단가	합계
	₩4,715.8	₩4,716
	₩2,467.4	₩24,674
	₩2,131.6	₩213,160
	₩1,737.4	₩868,700
	₩1,474.6	₩1,474,600
	₩1,460	₩7,300,000
	₩1,458.5	₩14,585,000
25,000	견적

대체 포장

제조업체 부품 번호:

IRFBC40APBF

포장:

Tube

구매 가능 정보:

재고 상태

가격:

₩3,300

최소:

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

제품 속성	속성 값	속성 선택
제조업체:	Vishay
제품 카테고리:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
기술:	Si
장착 스타일:	Through Hole
패키지/케이스:	TO-220-3
트랜지스터 극성:	N-Channel
채널 수:	1 Channel
Vds - 드레인 소스 항복 전압:	600 V
Id - 연속 드레인 전류:	6.2 A
Rds On - 드레인 소스 저항:	1.2 Ohms
Vgs - 게이트 소스 전압:	- 30 V, 30 V
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압:	4 V
Qg - 게이트 전하:	42 nC
최저 작동온도:	- 55 C
최고 작동온도:	+ 150 C
Pd - 전력 발산:	125 W
채널 모드:	Enhancement
포장:	Tube
브랜드:	Vishay / Siliconix
구성:	Single
하강 시간:	18 ns
제품 유형:	MOSFETs
상승 시간:	23 ns
시리즈:	IRFBC
팩토리 팩 수량:	1000
하위 범주:	Transistors
트랜지스터 타입:	1 N-Channel
표준 턴-오프 지연 시간:	31 ns
표준 턴-온 지연 시간:	13 ns
부품번호 별칭:	IRFBC40APBF
단위 중량:	2 g

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속성 선택됨: 0

                        
This part number has a BE3 suffix; however, it is the exact form, fit, 
and function of the part number without the BE3 suffix. The only 
difference is the country of origin.
Please contact a Mouser Technical Service Representative for further assistance 
5-0321-9