IGBT

IGBT
IGBT 트랜지스터: 마우저 일렉트로닉스에서 주요 제조업체의 제품을 구매할 수 있습니다. 마우저는 Fairchild, Infineon, IXYS, STMicroelectronics, Vishay 등 다양한 IGBT 트랜지스터 제조업체들의 공인 유통기업입니다. 아래에서 다양한 제품 목록을 확인하세요.
결과: 1,823
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 제조업체
설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다.
수량 RoHS ECAD 모델 기술
패키지/케이스
장착 스타일
구성
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-이미터 포화 전압
최대 게이트 이미터 전압
25 C의 지속적인 컬렉터 전류
Pd - 전력 발산
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
자격
포장

IXYS IGBT 600V, 28A at 110degreeC , TO-247AD-3
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437재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 28 A 190 W - 55 C + 150 C IXGH28N60 Tube

IXYS IGBT 60 Amps 1200V
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253재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 30 A 300 W - 55 C + 150 C IXGH30N120 Tube
IXYS IGBT HIGH VOLT NPT IGBTS 1700V 95A
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199재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SOT-227B-4 Screw Mount Single 1.7 kV 3 V - 20 V, 20 V 160 A 735 W - 55 C + 150 C IXGN100N170 Tube
IXYS IGBT GenX3 1200V IGBT
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298재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 2.35 V 20 V 75 A 300 W - 55 C + 150 C IXGT32N120 Tube
IXYS IGBT 650V/234A TRENCH IGBT GENX4 XPT
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265재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.35 V - 20 V, 20 V 235 A 880 W - 55 C + 175 C Trench Tube

IXYS IGBT GenX3 600V XPT IGBT
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321재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 120 A 600 W - 55 C + 175 C IXXH50N60 Tube

IXYS IGBT XPT 600V IGBT GenX3 XPT IGBT
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577재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Single 600 V 1.85 V - 20 V, 20 V 160 A 750 W - 55 C + 175 C IXXH75N60 Tube
IXYS IGBT 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT
데이터시트
920재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247AD-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V - 20 V, 20 V 160 A 625 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO263 1200V 20A XPT
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374재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-263HV-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 68 A 375 W - 55 C + 175 C Trench Tube
IXYS IGBT TO247 1700V 10A IGBT
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255재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.7 kV 4.1 V - 20 V, 20 V 36 A 280 W - 55 C + 175 C Tube
IXYS IGBT PLUS247 1200V 110A GENX4
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207재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.8 V - 20 V, 20 V 375 A 1.36 kW - 55 C + 175 C Trench Tube
ROHM Semiconductor IGBT Low VCE(sat) Type, 600V 30A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
1,687재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 600 V 1.8 V 30 V 30 A 54 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 15A, FRD Built-in, TO-220NFM, Field Stop Trench IGBT
데이터시트
3,862재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220NFM-3 Through Hole Single 650 V 2.1 V 30 V 14 A 32 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBT 5s Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, FRD Built-in, LPDL, Field Stop Trench IGBT
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1,095재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 1,000

Si TO-263-3 SMD/SMT Single 650 V 2.1 V 30 V 48 A 194 W - 40 C + 175 C Reel, Cut Tape
STMicroelectronics IGBT 4.5 A 600V IGBT 20V VGE 25A IFSM
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18,609재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si DPAK SMD/SMT Single 600 V 2.45 V - 20 V, 20 V 7.5 A 38 W - 55 C + 150 C STGD3HF60HDT4 Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT N-Ch 1200 Volt 5 Amp
데이터시트
3,938재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 2,500

Si TO-252-3 SMD/SMT Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 10 A 55 W - 55 C + 150 C STGD5NB120SZ Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBT N-Ch 600 Volt 10 Amp
데이터시트
2,734재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-220-3 FP Through Hole Single 600 V 1.8 V - 20 V, 20 V 20 A 25 W - 55 C + 150 C STGF10NB60SD Tube
STMicroelectronics IGBT Trench gate field-stop, 650 V, 100 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 lon
데이터시트
1,000재고 상태
최소: 1
배수: 1

TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 145 A 441 W - 55 C + 175 C Tube

onsemi IGBT 600V 20A FSP IGBT
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1,552재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
릴: 800

Si SC-70-3 SMD/SMT Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 40 A 208 W - 55 C + 150 C FGB20N60S_F085 AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi IGBT 650V FS Trench IGBT Gen3
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296재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 20 V, 20 V 240 A 882 W - 55 C + 175 C FGY120T65S_F085 AEC-Q101 Tube
Infineon Technologies IGBT 650 V, 40 A IGBT with anti-parallel diode in TO-247 package
데이터시트
7,672재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 76 A 230.8 W - 40 C + 175 C IGBT7 T7 Tube

Infineon Technologies IGBT 650 V, 75 A IGBT Discrete with Silicon Carbide Schottky diode
데이터시트
349재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.35 V - 20 V, 20 V 80 A 395 W - 40 C + 175 C Trenchstop IGBT5 S5 Tube
Infineon Technologies IGBT INDUSTRY
데이터시트
288재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4-2 Through Hole Single 1.2 kV 2 V - 20 V, 20 V 100 A 652 W - 40 C + 175 C IGBT HighSpeed 3 Tube
IXYS IGBT TO247 3KV 32A IGBT
데이터시트
226재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 3 kV 2.8 V - 20 V, 20 V 80 A 400 W - 55 C + 150 C Tube
IXYS IGBT 30 Amps 1200V
데이터시트
190재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si D3PAK-3 (TO-268-3) SMD/SMT Single 1.2 kV 3.5 V - 20 V, 20 V 30 A 300 W - 55 C + 150 C IXGT30N120 Tube