GT30J121(Q)

Toshiba
757-GT30J121(Q)
GT30J121(Q)

제조업체:

설명:
IGBT 600V/30A DIS

데이터시트:
ECAD 모델:
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재고 상태: 82

재고:
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공장 리드 타임:
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단가:
₩-
합계:
₩-
예상 관세:

가격 (KRW)

수량 단가
합계
₩6,190.4 ₩6,190
₩4,088 ₩40,880
₩2,876.2 ₩287,620
₩2,365.2 ₩1,182,600
₩2,219.2 ₩2,219,200

제품 속성 속성 값 속성 선택
Toshiba
제품 카테고리: IGBT
RoHS:  
Si
TO-3P-3
Through Hole
Single
600 V
2 V
- 20 V, 20 V
30 A
170 W
- 55 C
+ 150 C
GT30J121
Tube
브랜드: Toshiba
최대 연속 콜렉터 전류 Ic : 30 A
제품 유형: IGBT Transistors
팩토리 팩 수량: 100
하위 범주: IGBTs
단위 중량: 6.756 g
제품을 찾음:
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속성 선택됨: 0

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KRHTS:
8541299000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

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