Microchip IGBT

결과: 122
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 포장

Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 65 A TO-264 MAX 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 1200 V 75 A SOT-227 재고 없음
최소: 1
배수: 1

SiC SOT-227-4 Screw Mount Single 1.2 kV 20 V 128 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 80 A TO-247 MAX 재고 없음
최소: 1
배수: 1

SiC T-Max-3 Through Hole Single 900 V 30 V 145 A 625 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT100GN60B2G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 100 A TO-247 MAX 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT102GA60B2
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Single 600 V 102 A TO-247 MAX 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT102GA60L
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Single 600 V 102 A TO-264 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT150GN60B2G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 150 A TO-247 MAX 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SiC TO-247-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT150GN60LDQ4G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 150 A TO-264 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

SiC TO-264-3 Through Hole Single 600 V 1.45 V 30 V 220 A 536 W - 55 C + 175 C Tube
Microchip Technology APT15GN120SDQ1G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 15 A TO-268 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT15GP60BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 600 V 15 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT15GP90BDQ1G
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 15 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT20GN60BDQ1G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 20 A TO-247 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT20GN60BG
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 600 V 20 A TO-247 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT25GN120B2DQ2G
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 25 A TO-247 MAX 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT25GN120BG
Microchip Technology IGBT IGBT Fieldstop Low Frequency Single 1200 V 25 A TO-247 비재고 리드 타임 26 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT25GP120BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 1200 V 25 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT25GP90BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 900 V 25 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT30GP60BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 600 V 30 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 463 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT35GA90BD15
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 8 Combi 900 V 35 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 30 V, 30 V Tube
Microchip Technology APT35GP120J
Microchip Technology IGBT FG, IGBT, 1200V, 35A, SOT-227 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT35GP120JDQ2
Microchip Technology IGBT FG, IGBT-COMBI, 1200V, SOT-227 비재고 리드 타임 20 주
최소: 20
배수: 20

Si - 20 V, 20 V Tube
Microchip Technology APT40GP60B2DQ2G
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 600 V 40 A TO-247 MAX 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.2 V - 20 V, 20 V 100 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT40GP60BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 600 V 40 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole Single 600 V 2.2 V - 30 V, 30 V 100 A 543 W - 55 C + 150 C Tube
Microchip Technology APT40GP90B2DQ2G
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Combi 900 V 40 A TO-247 MAX 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si Tube
Microchip Technology APT40GP90BG
Microchip Technology IGBT IGBT PT MOS 7 Single 900 V 40 A TO-247 비재고 리드 타임 20 주
최소: 1
배수: 1

Si Tube