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GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT350R70GTK
- STMicroelectronics
-
1:
₩3,848
-
695재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT350R70GTK
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
695재고 상태
|
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|
₩3,848
|
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₩2,486.4
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₩1,776
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₩1,494.8
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₩1,207.7
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보기
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₩1,411.9
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₩1,198.8
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₩1,167.7
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최소: 1
배수: 1
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|
SMD/SMT
|
DPAK-3
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|
700 V
|
6 A
|
350 mOhms
|
- 1.4 V, + 7 V
|
2.5 V
|
1.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
47 W
|
Enhancement
|
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|
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT070R70HTO
- STMicroelectronics
-
1:
₩11,544
-
365재고 상태
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT070R70HTO
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
365재고 상태
|
|
|
₩11,544
|
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₩8,273.2
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₩7,222.4
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₩7,015.2
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보기
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₩6,704.4
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₩6,882
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₩6,704.4
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견적
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|
최소: 1
배수: 1
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|
SMD/SMT
|
TO-LL-11
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|
700 V
|
26 A
|
70 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
8.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
231 W
|
Enhancement
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|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT080R70ILB
- STMicroelectronics
-
1:
₩8,465.6
-
1,000예상 2026-06-08
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT080R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
1,000예상 2026-06-08
|
|
|
₩8,465.6
|
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|
₩6,171.6
|
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₩5,091.2
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₩4,928.4
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₩4,765.6
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₩4,573.2
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|
최소: 1
배수: 1
|
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|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
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|
700 V
|
29 A
|
80 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
6.2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
188 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT105R70ILB
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩3,951.6
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT105R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
21.7 A
|
105 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
4.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
158 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT140R70ILB
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩2,900.8
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT140R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
17 A
|
140 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
3.5 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
113 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT190R70ILB
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩2,308.8
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT190R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
11.5 A
|
190 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2.8 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
83 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT240R70ILB
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩2,264.4
-
비재고 리드 타임 52 주
-
신제품
|
Mouser 부품 번호
511-SGT240R70ILB
신제품
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-8
|
|
|
700 V
|
10 A
|
240 mOhms
|
- 6 V, + 7 V
|
2.5 V
|
2 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
76 W
|
Enhancement
|
|
|
|
GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
- SGT65R65AL
- STMicroelectronics
-
3,000:
₩6,985.6
-
비재고 리드 타임 52 주
|
Mouser 부품 번호
511-SGT65R65AL
|
STMicroelectronics
|
GaN FET 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor
|
|
비재고 리드 타임 52 주
|
|
최소: 3,000
배수: 3,000
|
|
|
SMD/SMT
|
PowerFLAT-4
|
N-Channel
|
1 Channel
|
650 V
|
25 A
|
65 mOhms
|
+ 6 V
|
1.8 V
|
5.4 nC
|
- 55 C
|
+ 150 C
|
305 W
|
|
|
대한민국