Microchip 양극성 트랜지스터 - BJT

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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
구성
최대 DC 콜렉터 전류
콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO
콜렉터-베이스 전압 VCBO
이미터-베이스 전압 VEBO
콜렉터-이미터 포화 전압
Pd - 전력 발산
게인 대역폭 제품 fT
최저 작동온도
최고 작동온도
시리즈
포장
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT Power BJT 119재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 3A 1W Power BJT THT
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88재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 3 A 80 V 125 V 8 V 500 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi JANTXV2N5153U3
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 2A 1W PNP Low Profile CER Power BJT SMT
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115재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si SMD/SMT U-3 PNP Single 2 A 80 V 100 V 5.5 V 1.5 V 100 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 60V 600mW NPN Power BJT
데이터시트
95재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 60 V 5 V 1.5 V 600 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT Power BJT
데이터시트
235재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-5-3 PNP Single 1 A 200 V 200 V 4 V 2.5 V 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 60V 600mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
데이터시트
107재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 600 mA 40 V 60 V 5 V 400 mV 800 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 4A 25W NPN Power BJT THT
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503재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-66 PNP Single 4 A 80 V 80 V 7 V 400 mV 25 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT Power BJT
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97재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-5-3 PNP Single 1 A 300 V 350 V 6 V 2 V 750 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT Power BJT
데이터시트
106재고 상태
23예상 2026-09-07
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-66-2 PNP Single 6 A 80 V 90 V 5 V 1 V 40 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 20V 100mA 400 mW Small-Signal BJT THT
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111재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-46-3 PNP Single 100 mA 20 V 25 V 25 V 400 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 45V 30mA 300mW NPN Small-Signal BJT THT
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165재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-18-3 NPN Single 30 mA 45 V 60 V 6 V 1 V 300 mW - 55 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 40V 800mA 500mW Small-Signal BJT THT
데이터시트
184재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-18-3 NPN Single 800 mA 50 V 75 V 6 V 1 V 500 mW - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 300V 2A 2.5W Power BJT THT
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94재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-66-2 NPN Single 2 A 300 V 500 V 6 V 750 mV 2.5 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
데이터시트
102재고 상태
최소: 1
배수: 1
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Si Through Hole TO-66-2 NPN Single 5 A 200 V 250 V 6 V 400 mV 2.5 W - 65 C + 200 C Tray
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 50V 3A 1W Power BJT THT
데이터시트
89재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 NPN Single 3 A 50 V 80 V 5 V 500 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 80V 2A 1W PNP Power BJT THT
데이터시트
117재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 10 A 80 V 100 V 5.5 V 750 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 30V 800mA 800mW NPN Long-Lead Small-Signal BJT THT
데이터시트
95재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 800 mA 50 V 75 V 6 V 300 mV 800 mW - 55 C + 200 C Tray
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT
데이터시트
100재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si SMD/SMT TO-5-3 NPN Single 5 A 300 V 400 V 6 V 400 mV 1.2 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 350V 1A 800mW Power BJT THT
데이터시트
118재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 NPN Single 1 A 350 V 450 V 7 V 500 mV 800 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip / Microsemi 양극성 트랜지스터 - BJT 80 V Small-Signal BJT
데이터시트
580재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 1 A 80 V 80 V 5 V 150 mV 800 mW - 55 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 75V 500mA 800mW NPN Short-Lead Power BJT THT
데이터시트
44재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-5-3 NPN Single 500 mA 30 V 75 V 5 V 1.5 V 800 mW - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 30V 800mA 800mW NPN Small-Signal BJT THT
데이터시트
99재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 40V 600mA 400mW PNP 3 Pin CER Small-Signal BJT
데이터시트
76재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si SMD/SMT LCC-3 PNP Single 600 mA 60 V 60 V 5 V 400 mV 500 mW - 65 C + 200 C Waffle
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 175V 1A 1W Small-Signal BJT THT
데이터시트
52재고 상태
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-39-3 PNP Single 1 A 175 V 175 V 5 V 300 mV 1 W - 65 C + 200 C Bulk
Microchip Technology 양극성 트랜지스터 - BJT 40V 3A 1.75W NPN Power BJT THT
데이터시트
18재고 상태
111주문 중
최소: 1
배수: 1
없음
Si Through Hole TO-8-3 NPN Single 3 A 40 V 60 V 12 V 750 mV 1.75 W - 65 C + 200 C Tray