IRFBE 시리즈 MOSFET

결과: 8
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
포장
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
데이터시트
17,920재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
데이터시트
제품 코멘트
18,209재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.8 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 1.4A N-CH MOSFET
데이터시트
2,173재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.4 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp
데이터시트
1,485재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 2 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
데이터시트
제품 코멘트
1,398재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 4.1A N-CH MOSFET
데이터시트
제품 코멘트
1,112재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET 800V 4.1A 125W
데이터시트
89재고 상태
MouseReel 사용가능
최소: 1
배수: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 800 V 4.1 A 3 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 78 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 800V 1.8A N-CH MOSFET
데이터시트
제품 코멘트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.8 A 6.5 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement Tube