GCMS 시리즈 MOSFET 모듈

결과: 6
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
시리즈
포장
SemiQ MOSFET 모듈 Gen3 1200V 8mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 189 A 12 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 536 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET 모듈 Gen3 1200V 16mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 103 A 23 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 303 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET 모듈 Gen3 1200V 40mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 53 A 52 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 183 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET 모듈 Gen3 1200V 80mohm SiC MOSFET & SBD Module, SOT-227
데이터시트
비재고 리드 타임 8 주
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 28 A 100 mOhms - 8 V, + 22 V 4 V - 55 C + 175 C 118 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET 모듈 1200V SBD Module, 9mohm COPACK, SOT-227
데이터시트
재고 없음
최소: 1
배수: 1

SiC Screw Mount SOT-227-4 N-Channel 1.2 kV 204 A 14 mOhms - 5 V, + 20 V 4 V - 55 C + 175 C 652 W GCMS Tube
SemiQ MOSFET 모듈 1700V, 30mohm SiC MOSFET Module, SOT-227
데이터시트
비재고 리드 타임 16 주
최소: 1
배수: 1

GCMS Tube