CoolSiC™ 440V G2 탄화 규소 MOSFET

Infineon Technologies CoolSiC™ 440V G2 탄화 규소 MOSFET은 200V Si 트렌치 MOSFET과 600V SJ(슈퍼 접합) MOSFET 사이의 간극을 해소하도록 설계되었습니다. 이 MOSFET은 하드 및 소프트 스위칭 토폴로지를 사용하여 2 및 3레벨에서 탁월한 전력 밀도와 시스템 효율을 제공합니다. CoolSiC™ MOSFET은 440V 차단 전압, 4.5V 게이트 임계 전압 및 낮은 RDS(ON) 온도 의존성이 특징입니다. 이 MOSFET은 높은 견고성과 초저스위칭 손실 및 온 상태 저항을 결합하고 있습니다. CoolSiC™ MOSFET은 AI, 서버, 데이터 센터 및 전기 통신 정류기용 고전력 SMPS에 전력을 공급하도록 설계된 애플리케이션 별 MOSFET에 이상적입니다.

결과: 3
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 제조업체
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수량 RoHS ECAD 모델 기술
장착 스타일
패키지/케이스
트랜지스터 극성
채널 수
Vds - 드레인 소스 항복 전압
Id - 연속 드레인 전류
Rds On - 드레인 소스 저항
Vgs - 게이트 소스 전압
Vgs th - 게이트 소스 역치 전압
Qg - 게이트 전하
최저 작동온도
최고 작동온도
Pd - 전력 발산
채널 모드
상표명
포장
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,370재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 144 A 14.4 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 85 nC - 55 C + 175 C 429 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,600재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 111 A 19.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 62 nC - 55 C + 175 C 341 W Enhancement CoolSiC Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET
데이터시트
1,591재고 상태
최소: 1
배수: 1
릴: 2,000

SiC SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 440 V 68 A 32.1 mOhms - 7 V, 23 V 4.5 V 36 nC - 55 C + 175 C 214 W CoolSiC Reel, Cut Tape