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선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 패키지/케이스 장착 스타일 구성 콜렉터- 최대 이미터 전압 VCEO 콜렉터-이미터 포화 전압 최대 게이트 이미터 전압 25 C의 지속적인 컬렉터 전류 Pd - 전력 발산 최저 작동온도 최고 작동온도 시리즈 포장

onsemi IGBT 1200V, 40A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 476재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 80 A 600 W - 55 C + 175 C FGHL40T120RWD Tube

onsemi IGBT 1200V, 60A Trench Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT 367재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 20 V 120 A 833 W - 55 C + 175 C FGHL60T120RWD Tube
onsemi IGBT 1200V, 40A Field Stop VII (FS7) Discrete IGBT Fast Switching 465재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.68 V 30 V 70 A 469 W - 55 C + 175 C FGHL40T120SWD Tube

onsemi IGBT IGBT - 650 V 40 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode 392재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 60 A 273 W - 55 C + 175 C FGHL40T65LQDT Tube

onsemi IGBT 650V FS4 Trench IGBT 188재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBT 650V/35A FAST IGBT FSII T 36재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.7 V - 20 V, 20 V 70 A 300 W - 55 C + 175 C NGTB35N65FL2 Tube

onsemi IGBT IGBT - 650 V 50 A FS4 low Vce(sat) IGBT with full rated copack diode
450예상 2026-06-19
최소: 1
배수: 1

Si TO-247-4 Through Hole Single 650 V 1.15 V 20 V 80 A 341 W - 55 C + 175 C FGHL50T65LQDTL4 Tube