TKx 실리콘 N-채널 MOSFET

Toshiba TKx 실리콘 N-채널 MOSFET은 U-MOSX-H 및 DTMOSVI 유형으로 제공되고 탁월한 성능 특성을 제공합니다. 이 MOSFET은 빠른 역회복 시간을 갖도록 설계되어, 턴오프 상태와 턴온 상태 사이의 지연 시간을 줄이고 고속 스위칭 애플리케이션의 효율을 향상시킵니다. 낮은 드레인-소스 온 저항(RDS(on))은 전력 손실을 최소화하고 열 관리를 개선하여, 낮은 에너지 소모로 높은 전류 처리가 필요한 애플리케이션에 이상적입니다.

결과: 20
선택 이미지 부품 번호 제조업체 설명 데이터시트 구매 가능 정보 가격 (KRW) 수량에 따라 단가별로 테이블의 결과를 필터링합니다. 수량 RoHS ECAD 모델 기술 장착 스타일 패키지/케이스 트랜지스터 극성 채널 수 Vds - 드레인 소스 항복 전압 Id - 연속 드레인 전류 Rds On - 드레인 소스 저항 Vgs - 게이트 소스 전압 Vgs th - 게이트 소스 역치 전압 Qg - 게이트 전하 최저 작동온도 최고 작동온도 Pd - 전력 발산 채널 모드 포장
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.095 O@10V, TOLL, DTMOS? 1,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 29 A 95 mOhms 30 V 4.5 V 50 nC + 150 C 230 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TOLL, DTMOS? 1,800재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TOLL, DTMOS? 1,997재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 130 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 600V Silicon N-Channel MOS (DTMOS) MOSFET 1,998재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TOLL, DTMOS? 2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 4 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TOLL, DTMOS? 2,000재고 상태
최소: 1
배수: 1
: 2,000

Si SMD/SMT TOLL-9 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.063 ohma.10V, TO-247, DTMOS? 73재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 63 mOhms 30 V 4 V 56 nC + 150 C 242 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO247 650V 1.69A N-CH 205재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 37 A 68 mOhms - 30 V, 30 V 4.5 V 68 nC - 55 C + 150 C 270 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 381재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 120 A 4.9 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 300 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 2.2A N-CH 284재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 76 A 5 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 96 nC - 55 C + 175 C 53 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 350재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 84 A 7.2 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 230 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.4A N-CH 312재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 57 A 7.4 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 66 nC - 55 C + 175 C 46 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 306재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 150 V 52 A 9.6 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 200 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET TO220 150V 1.1A N-CH 209재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 150 V 49 A 9.7 mOhms - 20 V, 20 V 4.5 V 50 nC - 55 C + 175 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.08 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS? 16재고 상태
100예상 2026-05-27
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 80 mOhms 30 V 4 V 43 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.099 O@10V, TO-247, DTMOS? 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 99 mOhms 30 V 36 nC + 150 C 176 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS? 50재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 45 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-247, DTMOS? 30재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 115 mOhms 30 V 4.5 V 42 nC + 150 C 190 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.125 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS? 50재고 상태
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 20 A 125 mOhms 30 V 4 V 28 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 600 V, 0.155 ohma.10V, TO-220SIS, DTMOS? 3재고 상태
150예상 2026-06-15
최소: 1
배수: 1

Si Through Hole TO-220SIS-3 N-Channel 1 Channel 600 V 17 A 155 mOhms 30 V 4 V 24 nC + 150 C 40 W Enhancement Tube